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什么载流子浓度受温度影响大
掺杂半导体中少数
载流子
的
浓度
与
什么
有
很大
关系
答:
在温度不是很高时,
增加的本征载流子浓度将远小于掺杂所提供的多数载流子浓度
,因此对于多数载流子而言,可以认为其浓度基本上就等于掺杂浓度,与温度的关系不大。当然,在温度高到使得本征载流子浓度增大到等于或大于多数载流子浓度时,就变成以本征载流子导电为主的半导体了,即为本征半导体,这时掺杂的贡献即可...
掺杂半导体中少数
载流子
的
浓度
与
什么
有
很大
关系
答:
在温度不是很高时,
增加的本征载流子浓度将远小于掺杂所提供的多数载流子浓度
,因此对于多数载流子而言,可以认为其浓度基本上就等于掺杂浓度,与温度的关系不大。当然,在温度高到使得本征载流子浓度增大到等于或大于多数载流子浓度时,就变成以本征载流子导电为主的半导体了,即为本征半导体,这时掺杂的贡献即可...
温度
变化时会引起BJT的哪些参数变化?如何变化
答:
温度变化时会引起BJT的禁带宽度和少数载流子浓度这两个参数变化
。正向压降随着温度升高而降低,反向电流随着温度升高而很快增大,势垒电容随着温度升高而增大等。因为BJT是半导体制造的,而半导体在此有两个参数是与温度有关的:一个是禁带宽度(一般随着温度的升高而减小);二是少数载流子浓度(随着温度的升高...
本征
载流子
的与
温度
的关系
答:
因为本征载流子是由本征激发所产生的,则它的产生与热激发有关,也与禁带宽度有关,所以具有以下特点:一是电子浓度=空穴浓度;二是
载流子浓度
随着
温度
的升高而指数式增大;三是与禁带宽度有指数函数关系(不同半导体的本征载流子浓度不同)。本征载流子浓度ni与温度T和禁带宽度Eg的关系为(与杂质无关)ni...
500k
温度
下,硅的本征
载流子浓度
是多少
答:
500k温度下,
硅的本征载流子浓度是2.716*10^14/cm^3
。本征载流子浓度与温度有关,同样材质的半导体,温度越高,热激发越强烈,本征载流子浓度越高;与禁带宽度有关,同样的温度下,禁带宽度越窄,电子或空穴更容易从价带跃迁到导带,本征载流子浓度越高。
温度
变化时会引起BJT的哪些参数变化?如何变化
答:
BJT是半导体制造的,而半导体在此有两个参数是与
温度
有关的:一个是禁带宽度(一般随着温度的升高而减小);二是少数
载流子浓度
(随着温度的升高而指数式增大)。因此,BJT凡是与这两个参数有关的性能都将发生变化。例如:正向压降随着温度升高而降低,反向电流随着温度升高而很快增大,势垒电容随着温度升高...
当
温度
升高时,本征半导体中
载流子
的
浓度
:A. 自由电子浓度增大,空穴浓度...
答:
首先要明确一点,对于本征半导体而言,电子和空穴是成对产生的,所以电子浓度和空穴浓度是相等的。载流子的浓度是和Nc、Nv成正比,尤其是指数项exp(-Eg/2kT)所以对于一定的半导体材料,其本征
载流子浓度
是随
温度
的升高而迅速增加。
硅的本征
载流子浓度
答:
浓度是1.5。室温下,硅的本征
载流子浓度
为i=1.5×1016m-3。本征载流子浓度(Intrinsic carrier concentration)为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度,常用值为300K时的浓度值。本征载流子浓度与
温度
有关,同样材质的半导体,温度越高,热激发越强烈,本征载流子浓度越高;与禁带宽度有关,同样的...
当环境
温度
升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的...
答:
当环境
温度
升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的少数
载流子浓度
增大。点接触型二极管的PN结接触面积小,不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压,但它的高频性能好,适宜在高频检波电路和开关电路中使用。
杂质半导体中的少数
载流子浓度
取决于
什么
??? 求答案
答:
在杂质半导体中,多数
载流子
的
浓度
主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度主要取决于
温度
。
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