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半导体硅和锗的能带结构和特点
硅
、
锗和
砷化镓
能带结构特点
答:
si ge 是间接带隙 GaAs是直接带隙
锗的
晶格
结构和能带结构
分别是什么
答:
这种结构使得锗在室温下呈现出良好的
半导体性质
。
2、间接禁带型:锗的能带结构为间接禁带型,其能带间隙小
。这类特性使锗成为红外光学和光电检测器件的理想材料。此外,锗的电子迁移率高于硅,使得锗在高速电子设备中有广泛应用。
根据
能带
理论解释
硅锗
为什么是非金属
答:
硅锗是半导体材料。非金属材料的能带结构不同于金属,具有存在能隙的特点
,而硅和锗由于其中等大小的能隙,被归类为半导体材料而不是非金属。
半导体
物理中,
能带
宽度
与
禁带宽度的区别是什么?
答:
1、概念不同:能带宽度:为价带和导带的宽度
,即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。 禁带宽度:为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力,禁带宽度就是组电的能力。2、所含电子不同:能带:是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论。始于20世纪初期,在量子力学确立以后发展起来的一种近...
锗与硅
做
半导体
材料 各自的优缺点
答:
锗:作为最早被研究的半导体材料,带给我们两个诺贝尔奖,
第一个transistor和第一个IC.锗的优点是:1)空穴迁移率最大,是硅的四倍
;电子迁移率是硅的两倍.2)禁带宽度比较小,有利于发展低电压器件.3)施主/受主的激活温度远低于硅,有利于节省热预算.4)小的波尔激子半径,有助于提高它的场发射特性.5...
介绍下
半导体的能带
理论
答:
本征
半导体
:
硅和锗
都是半导体,而纯硅和锗晶体称本征半导体。硅和锗为4价元素,其晶体
结构
稳定。 P型半导体:P型半导体是在4价的本征半导体中混入了3价原子,譬如极小量(一千万之一)的铟合成的晶体。由于3价原子进入4价原子中,因此这晶体结构中就产生了少一电子的部分。由于少一电子,所以带正电。P型的“P”正...
在平衡条件下,已知某
导体
的空穴浓度和电子浓度,怎么求净杂质浓度_百度...
答:
计算公式为ni^2为pxn。
半导体
如
锗和硅
晶体
的能带结构
,类似于绝缘体,导带中没有电子而价带是满带,但其间的禁带宽度较小,如硅约1.1eV,锗约0.7eV。常温下,由于热运动,少量在价带顶部的能量大的电子就可能越过禁带而升迁到导带中去成为“自由电子”,这些电子可以通过电子导电形成电流。
硅的能带结构
是直接还是间接
答:
这里的硅都是
间接禁带型
的能带结构。简单来说,一般我们希望获得直接带隙半导体。他们的区别在于价带顶和导带底是否拥有相同的波矢k。看导带低和价带顶的动量是不是相同。相同就是直接带隙,不同就是间接带隙。而这里的硅导带底和价带顶波矢k值不同,所以判断为间接禁带。能带结构的特性:能带理论定性地...
半导体
材料有哪些
特征
?
答:
半导体的特征
:一、半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,如
硅
、
锗
、硒等,它们的电阻率通常在 之间。二、半导体之所以得到广泛应用,是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。三、如纯净的半导体单晶硅在室温下电阻率约为 ,若按百万分之一的比例掺入少量杂质(如磷)后,其电阻率急剧下降...
为什么金刚石不导电,而
硅
,
锗
均为
半导体
答:
5eV,是非常大的。所以是不导点的。顺着这一族元素往下走,能级差越来越小,到
硅
,
锗
已经是
半导体
。在往下锡,铅就是导体(金属)了。如果你在读高中或者初中的话,应该还没法理解,就作为课外兴趣读读吧。如果你在读大学的话,翻阅相关的化学书,找一下
能带
理论的部分读读。
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