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场效应管导通的条件
mos
管导通条件
答:
1、电压:MOSFET的导通电压为VGS
,即栅极加正电压(VD),由于MOS管是场效应晶体管,其输入电阻很小,只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。2、电流:饱和电流是指流过MOS管的直流或脉冲电流值,对于单沟道增强型NPN型器件而言,其饱和电流不超过10A每dt,而对于双沟道增强型NPN型和P沟道增强型NPN型器件...
MOS
管的导通条件
是什么?
答:
P型MOS管的导通条件:
靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性
。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就可以了。P沟道mos管作为开关,栅源的...
IGBT的
导通
和截止
条件
是什么?
答:
IGBT导通和截止条件是:
开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定,当uGE为正,且大于开启电压UGE(th)时,IGBT就可以导通
; 当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时,IGBT就被关断。IGBT是绝缘栅双极型晶体管,由BJT和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSF...
判断一个mos管是否
导通的
关键是
答:
快速判断方法:箭头由P指向N,看箭头尖尖指向的极性为N还是P,为N则G极为低电压时
导通
,为P则高电压导通。详细解释:MOS管首先要判断是PMOS还是NMOS, 导通时的管道是正电荷形成的则为PMOS,是负电荷形成则为NMOS,如图所示小箭头的方向为MOS导通过程中电子的运动轨迹,我们需要让电子按这个轨迹运动才能...
mos管的栅极电压大于0v时就可以
导通
答:
当MOS管的栅极电压大于0V时,MOS管可以导通
。详细 1. MOS管的基本工作原理 MOS管,即金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是一种利用电场效应来控制电流的器件。它的核心结构是由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成的。当在栅极施加电压时,会在氧化物绝缘层下方形成一个电场,从而改变半导体基底的...
IGBT的
导通
和截止
的条件
是什么?
答:
IGBT是场控器件,
它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定
,当uGE为正,且大于开启电压UGE(th)时,IGBT就可以导通;当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时,IGBT就被关断。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)...
电路分析关于PMOS
管的导通条件
,请大神帮忙分析一下?
答:
其实就是 |Ugs| >= |VT| ,
场效应管
就导通;如果 VT为正值时,就是 Ugs >= VT;
管子导通
,反之截止;如果 VT为负值时,就是 Ugs =< -VT;管子导通,反之截止;另外,当 Vi=0, 就是Tp的栅极电压 Ug=0,此时 Tp 导通,Tn截止;因为Tp其漏极d点并没有接地(与你前面的问题是不一样的...
P沟道增强型
场效应管导通条件
答:
P沟道增强型
场效应管的导通条件
是栅极电位低于漏极电位。栅极电位比漏极电位低得越多,就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。结型场效应管只有(耗尽型);MOS管有(增强型)和(耗尽型)。增强型:就是UGS=0V时漏源极之间没...
场效应管
一般用于什么场合,起什么作用,它的
导通
需要什么
条件
?
答:
一般应用在开关电源中 起快速开关作用,使初级电能量变成磁能量,再由磁能量转变为需要电压大小的电能量。
导通条件
是:开启电压VT 开启电压:使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压 开启电压也可以理解为栅极相对于源极的一个电压。
N沟道结型
场效应管的导通条件
是什么?
答:
N-JFET的
导通条件
是:UGS(off) < UGS < 0 简单的说,就是当N-JFET处于可变电阻区或恒流区的时候,管子是
导通的
。截止条件是:UGS < UGS(off)在导通的时候,UG一定是小于US,否则UGS就要变正数,就失去了对导电沟道的控制,很容易损坏G、S之间的PN结。你可以仔细看一下童诗白的《模拟电子技术基础...
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