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本征激发温度
什么叫
本征激发
?
温度
越高,本征激发的载流子越多,为什么
答:
1、
本征激发
是由于半导体材料内部运动,导致有部分电子脱离共价键的束缚,形成了“自由电子”,使半导体材料内载流子浓度变化的激发过程。2、本征激发中半导体材料内部运动和
温度
、光照等外界因素有关,温度(光照等)越高,分子运动越激烈,越有利于电子脱离共价键,因而被激发出来的“自由电子”越多,载流子...
什么叫
本征激发
?
温度
越高,本征激发的载流子越多,为什么
答:
价带上的电子激发成为准自由电子,即价带电子激发成为导带电子的过程,称为
本征激发
。
温度
越高,价电子获得能量,脱离共价键束缚成为自由电子越容易,留下的空穴也相应越多,所以本征激发的载流子越多。
温度
升高时,p型半导体中的什么增多?
答:
首先是处于低温弱电离区0~100k的区间
,这个区间内半导体的本征激发很小,p型半导体内部的空穴主要由三族元素电离产生,本征激发可忽略不计,随着温度升高,杂质的电离率快速增大,电离的空穴快速增加,因此在这个区间温度升高p型半导体中增多的主要是空穴浓度。温度继续升高来到了100~500k区间,在这个区间中...
本征
载流子的与
温度
的关系
答:
因为本征载流子是由
本征激发
所产生的,则它的产生与热激发有关,也与禁带宽度有关,所以具有以下特点:一是电子浓度=空穴浓度;二是载流子浓度随着
温度
的升高而指数式增大;三是与禁带宽度有指数函数关系(不同半导体的本征载流子浓度不同)。本征载流子浓度ni与温度T和禁带宽度Eg的关系为(与杂质无关)ni...
为什么光照后电子会复合?
答:
但是,当半导体的
温度
升高(例如室温300K)或受到光照等外界因素的影响,某些共价键中的价电子获得了足够的能量,足以挣脱共价键的束缚,跃迁到导带,成为自由电子,同时在共价键中留下相同数量的空穴。空穴是半导体中特有的一种粒子。它带正电,与电子的电荷量相同。把热激发产生的这种跃迁过程称为
本征激
...
半导体电阻率的关系
答:
半导体开始
本征激发
起重要作用的
温度
,也就是电阻率很快降低的温度,该温度往往就是所有以pn结作为工作基础的半导体器件的最高工作温度(因为在该温度下,pn结即不再存在);该温度的高低与半导体的掺杂浓度有关,掺杂浓度越高,因为多数载流子浓度越大,则本征激发起重要作用的温度——半导体器件的最高工作...
为什么金属的电阻值随着
温度
的升高而变大,而半导体的则随温度升高反而变...
答:
高温区,
本征激发
起主要作用,T升高,本征激发明显,电阻下降。总的趋势是先降再升最后降 zxz026说的对,现在不搞材料,大学里好多东西都忘了。以半导体热敏电阻为例,负
温度
系数的热敏电阻原理基本上就是上面说的。还有一种正温度系数的热敏电阻,主要是钛酸钡陶瓷,120度(居里温度)之后,电阻随温度...
半导体为什么会容易受到
温度
影响?会产生什么样的后果?
答:
对于掺杂半导体:
温度
很低时,
本征激发
忽略,主要由杂质电离提供载流子,它随温度升高而增加;散射主要由电离杂质决定,迁移率随温度升高增大,所以电阻率下降。温度继续升高,杂质全部电离,本征激发还不显著时,载流子基本不变,晶格振动是主要影响因素,迁移率随温度升高而降低,所以电阻率随温度升高而增大。...
为什么半导体的
温度
不能过高?
答:
首先,常识我们知道,任何东西的
温度
太高,都会产生物理或者化学性的变化(烧坏),在理论上,实际应用的半导体大都是掺杂的半导体,而且大都是利用掺杂半导体中杂质电离产生的载流子进行工作的,在半导体工作温度下,杂质电离起主导作用,但半导体中的杂质电离和
本征激发
都是随温度的升高而升高,当温度太高时...
霍尔效应实验测出uh为负,那画uh-is图时是要画在第四象限吗?
答:
霍尔效应测磁场的实验是大学物理实验中的综合实验,实验原理是霍尔电压和磁感强度的大小和工作电流的大小成正比,在磁场大小不变的情况下,霍尔电压的大小和工作电流的大小成正比,uh代表霍尔电压,is代表工作电流,画uh-is图是想表现两者之间的关系,和方向没有关系,所以没必要画在第四象限。
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