22问答网
所有问题
当前搜索:
栅极感应电压尖峰
IGBT的
栅极
驱动电路需满足什么要求
答:
1、合适的驱动
电压
,+15 V 到 -15V,
尖峰
电压幅值不能超过20A;2、足够的驱动功率,保证在开通时IGBT快速开通;3、合适的关断速度,关断过快会导致du/dt过大,可能引起擎住效应;4、足够的电压隔离能力
增大MOSFET
栅极
电阻能消除高频振荡的原因
答:
mosfet当中的高频振荡原因是,由mosfet的结电容和
栅极
回路中的寄生电感共同作用产生的,也就是说mosfet在开通关断时,mosfet的结电容存在一个充电和放电的动作,而充电、放电电流都要流过mosfet的栅极回路,如果在栅极回路里存在寄生电感,就会产生L*di/dt一个
电压尖峰
,可见电流变化速度直接会影响电压尖峰的...
mos管电容
尖峰电压
频率是多少正常
答:
0.1MHz到数十MHz。MOS管电容
尖峰电压
频率与具体的MOSFET元件参数以及外围电路元器件参数相关,频率范围在0.1MHz到数十MHz,MOSFET的输入电容主要是通过设备的栅极电容产生的,其具体大小受到器件的结构、工艺和封装等多种因素的影响。
igbt
栅极
电阻太小会怎么样
答:
igbt
栅极
电阻太小容易导致震荡甚至器件损坏。igbt栅极电阻选择过小,会引起IGBT承受短路过流能力下降,引起关断
电压尖峰
。IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的CPU,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
mos管
栅极
上串个小电阻是什么作用
答:
MOS管
栅极
上串个小电阻的主要作用是:改变管子栅极输入控制脉冲的前后沿陡度,以及防止寄生电容和电感形成的振荡,减小输出
电压尖峰
,从而防止MOS管被烧坏。满意请采纳。
MOSFET管的漏极
电压
的
尖峰
问题
答:
在MOSFET的漏极和源极上并联一个电容(无电阻,仅电容),调整电容值,直到
尖峰
谐振频率降低到原来的二分之一。
是什么原因造成IGBT击穿短路?
答:
集电极与发射极之间的电压高于最高工作就会击穿。通常由IGBT从闭合(close)到打开(open)过程中电流突然下降造成的
尖峰电压
(voltage spike)所导致,因为在IGBT以及电路中会有不可避免的感性阻抗。IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率...
IGBT驱动
栅极
电阻如何确定
答:
栅极
电阻的功率由IGBT栅极驱动的功率决定,一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。IGBT栅极驱动功率 P=FUQ,其中:F 为工作频率;U 为驱动输出
电压
的峰峰值;Q 为栅极电荷,可参考IGBT模块参数手册。例如,常见IGBT驱动器(如TX-KA101)输出正电压15V,负电压-9V,则U=24V,假设 F=10...
mos管耐压值是指瞬时
电压
值吗
答:
MOS管的耐压值通常指的是它的最大额定漏极-源极
电压
(VDS)或
栅极
-源极电压(VGS)。这些电压是MOS管可以持续承受的最大电压,而不会损坏或击穿。这些电压通常是稳定的直流电压,而不是瞬时电压。耐压值是根据MOS管的设计和制造来确定的,通常在MOS管的规格表或数据手册中有详细的说明。如果应用中的...
做了个逆变器,SG3525烧坏,3205场管
栅极
和漏极击穿,是什么原因,当时用的...
答:
感觉应该是变压器漏感产生
尖峰
击穿管子,连锁烧毁图腾和3525
1
2
3
涓嬩竴椤
其他人还搜
电源开关瞬间有尖峰电压
MOS管的GS电压波形有尖峰
mosfet关断电压尖峰
逆变器mos管尖峰产生的原因
mos管驱动电压尖峰
反激短路mos尖峰电压高
mosfet尖峰吸收电路
mos驱动波形出现瞬时尖峰
mos关断尖峰是怎么产生的