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氮化硅膜的折射率
氮化硅薄膜
是透明的吗
答:
是的。根据查询知网百科显示,在满足半导体工艺兼容的条件下,
折射率高达2.0左右的氮化硅透明薄膜是一种制备谐振微腔的理想材料
。氮化硅膜(Silicon nitridc film)是指硅氮化合物的薄膜,常用作微电子技术电绝缘层。化学计量比的氮化硅由正方氮化硅晶胞组成,多余的硅原子在其中排列成六方结构。
求教,现阶段
氮化硅膜
厚与
折射率
答:
你问的是太阳能电池制备的时候的镀膜工序么?这个膜厚在80nm左右,
折射率在2.10左右
。
光伏的减反射膜(AR coating)有什么用?
答:
现在的光伏电池均有减反射膜 ,不论是一线厂家或者二线厂家,普遍采用的是PECVD法沉积氮化硅膜。膜厚在78nm左右,
折射率在2.06左右
。
哪位大师能详细的阐述下双闪耀,给点关于双闪耀的材料? 谢谢啦
答:
其参数为:使用波长:=632.8nm选用基底材料t
氮化硅膜
(
折射率
n~1.9)光栅常数td一0、l367mm空间频率t7.3pl/mm灰阶数:16闪耀角:0b—tsri-1(h/d)=l8刻槽深度th=X/(n—1)一703.1nm该方法制作过程分两步进行。第一步,根据实际要求选择浮雕调制位相记录材料,用计算机设计双闪耀光栅的...
3.不同
氮化硅薄膜
制备技术的比较
答:
3.不同
氮化硅薄膜
制备技术的比较:1、磁控溅射法:磁控溅射法是一种常用的氮化硅薄膜制备技术。它使用高能离子轰击靶材,使靶材表面的原子与氮气反应生成氮化硅薄膜。这种方法制备的氮化硅薄膜具有较高的致密性和硬度,但是制备过程需要高真空环境,工艺复杂,成本较高。2、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD...
单晶硅电池
氮化硅膜
膜厚和和
折射率
有关系吗?
答:
肯定没有,
折射率
是物体的本质不能改变的
光伏电池片镀膜原理和目的
答:
这些气体作用于存储在硅片上的
氮化硅
。可以根据改变硅烷对氨气的比率,来得到不同
的折射
指数。在沉积工艺中,伴有大量的氢原子和氢离子的产生,使得晶片的氢钝化性十分良好。在真空、480摄氏度的环境温度下,通过对石墨舟的导电,使硅片的表面镀上一层SixNy。3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2 二、Si3N4 S...
聚合物
薄膜
厚度不同,是不是光学性能也不同?请指明资料来源!
答:
此QWS设计成具有大于200nm的FWHM的宽遏止带,中心在550nm,中心反射率约80%。随后淀积一层 100nm厚的
氮化硅
(n=1.92)填充模层,它用来规整全部腔的厚度,形成一个或两个台阶,每个具有大约40nm的高度,都刻蚀在此填充
膜的
一部分上,以改变器件的颜色(分别从蓝到绿到红)。薄金(11.5nm)形成一半透明膜层蒸发在填充膜...
太阳能电池中胶
膜的
最佳
折射率
答:
折射率为2.30,表面钝化最好,体钝化较差;折射率为2.17表面钝化较好,体钝化最好折射率小于2.05,钝化较差,减反效果好。以
硅
为底材料太阳能电池
的折射率
主要涉及到两个方面,一个是太阳能电池片上镀蓝色
膜的
膜厚和折射率,另一个是封装组件时候使用的玻璃材质的膜厚和折射率,包括使用的eva等。...
太阳能电池片生产工艺,哪位大神可以帮忙?
答:
抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层
氮化硅
减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电使样品升温到预定的温度,然后通入适量的...
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