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载流子浓度和温度的关系
载流子浓度
为什么近似
与温度
成正比?
答:
载流子主要是靠热运动激发而产生的。因为载流子主要是靠热运动激发而产生的,
所以载流子浓度近似与温度成正比
;因为载流子还有其它激发形式如光照、辐射,所以载流子浓度近似与温度成正比。
杂质半导体中多数
载流子的浓度
主要取决于
答:
在杂质半导体中,
多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度取决于温度
,温度决定了本征半导体载流子度n,多子浓度则由参杂决定。n方除以多子浓度就是少子浓度。多子浓度主要由掺杂浓度决定,受温度影响较小。对于n型半导体,如果掺杂浓度为ND,则在杂质全电离情况下,其中多数载流子度为。
本征
载流子浓度与
哪些因素有关?
答:
1、与温度有关,同样材质的半导体,温度越高,热激发越强烈,本征载流子浓度越高
2、与禁带宽度有关,同样的温度下,禁带宽度越窄,电子或空穴更容易从价带跃迁到导带,本征载流子深度越高。
当
温度
升高时,本征半导体中
载流子的浓度
:A. 自由电子浓度增大,空穴浓度...
答:
载流子的浓度是和Nc、Nv成正比
,尤其是指数项exp(-Eg/2kT)所以对于一定的半导体材料,其本征载流子浓度是随温度的升高而迅速增加。
半导体的少数
载流子浓度有什么
决定
答:
主要由
温度
决定,温度越高,越多
本征
载流子的与温度的关系
答:
本征
载流子浓度
ni
与温度
T和禁带宽度Eg
的关系
为(与杂质无关)ni = (NcNv)^(1/2) exp[-Eg/(2kT)]在室温下,Si的ni=1.45×10^10cm-3,GaAs的ni=1.79×10^6cm-3。由于本征载流子浓度ni随着
温度的
升高而指数式增大,故在足够高的温度下,对于掺杂的半导体,在较高温度下,本征载流子浓度也...
掺杂半导体中少数
载流子的浓度与
什么有很大
关系
答:
当通过掺杂、增大多数
载流子浓度
时,则多数载流子与少数载流子相互复合的机会增加,将使得少数载流子浓度减小;当升高
温度
,少数载流子浓度将指数式增大,并且它与多数载流子相互复合的机会也增加,仍然维持着热平衡
关系
。在温度不是很高时,增加的本征载流子浓度将远小于掺杂所提供的多数载流子浓度,因此对于多数...
分析本征半导体电阻率与
载流子浓度
迁移率
和温度有什么关系
答:
决定 电阻率
温度关系
的主要因素是
载流子浓度和
迁移率随
温度的
变化关系。在低温下:由于 载流子浓度指数式增大(施主或 受主杂质不断电离),而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),所以这时 电阻率随着温度的升高而下降。在 室温下:由于施主或 受主杂质已经完全电离,则 载流子浓度不变,但...
...在室温附近,
温度
升高,杂质半导体中少数
载流子浓度
升高。求高手。谢谢...
答:
从0T开始,随着
温度
升高,所掺杂质的电离逐渐增强,
载流子浓度
增加。但当温度足够高,杂质几乎全部电离之后,起主要作用的就不再是这个,而是本征激发。
半导体的
温度
稳定性差的原因是什么?
答:
1、少数载流子浓度
与温度有关
。(随着温度的升高而变窄)2、禁带宽度与温度有关。(随着温度的升高而呈指数式增加)主要是受多子影响。半导体禁带宽度小,受热后外层成键电子容易跃迁到激发态成为参与导电的载流子,导电性能提高,所以温度稳定性差。所以多子起主要作用。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘...
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