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10个PIN的反向电压范围
请高手看下2个电位器
pin
定义
答:
二极管工作时的端
电压
(又称齐纳电压)从3V左右到150V,按每隔
10
%,能划分成许多等级。在功率方面,也有从200mW至100W以上的产品。工作在
反向
击穿状态,硅材料制作,动态电阻RZ很小,一般为2CW型;将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。 11、
PIN
型二极管(PIN Diode) 这是在P区和N区之间夹一层本征半导体...
PIN
结锂漂移型半导体探测器
答:
在
PIN
结两端加上
反向电压
,内电场Ei将得到增强。与PN结类似,I区即为探测射线产生电离的灵敏区,厚度较大,可以探测高能射线。锂在硅和锗中的电离能很低(在硅中为0.033eV,在锗中为0.093eV),很容易电离而且离子半径仅有0.06nm。在P型硅或锗表面镀一层锂,而锂很快穿过硅或锗的晶格,处于晶...
PIN
结锂漂移型半导体探测器
答:
在
PIN
结两端加上
反向电压
,内电场Ei将得到增强。与PN结类似,I区即为探测射线产生电离的灵敏区,厚度较大,可以探测高能射线。图4-3-2 PIN结探测器示意图 锂在硅和锗中的电离能很低(在硅中为0.033 eV,在锗中为0.093 eV),很容易电离而且离子半径仅有0.06 nm。在P型硅或锗表面镀一层锂...
PIN
光电二极管与APD雪崩二极管的优缺点
答:
1、
PIN
光电二极管 优点在于响应度高响应速度快,频带也较宽工作电压低,偏置电路简单在反偏压下可承受较高
的反向电压
,而缺点在于I层电阻很大管子的输出电流小,一般多为零点几微安至数微安。2、APD雪崩二极管 具有功率大、效率高等优点,它是固体微波源,特别是毫米波发射源的主要功率器件,广泛地使用于...
PIN的
作用是什么?
答:
I是Input信号输入,N是Negative负极.有可能是某个传感器.还有一种可能就是
PIN
结的二极管,属于快恢复二极管,它的内部结构与普通PN结管不同,它属于PIN结型,就是在P与N中间增加了基区 I,构成PIN结,因为基区很薄,反向恢复电荷很小,所以PIN二极管
的反向
恢复时间短,正向压降低,反向击穿
电压
高 ...
pin
光电二极管
答:
PIN
光电二极管是一种半导体器件,由一个P区、一个Intrisic区和一个N区组成。其中,Intrisic区是一个高纯度的半导体材料,可用于控制电子的流动和
反向
电流的阻止。PIN光电二极管的结构与普通二极管相似,但其灵敏性、响应速度和波长响应
范围
都要更高。第二段:PIN光电二极管的应用领域 PIN光电二极管通常被...
pin
管
反向
截止电容是什么?
答:
pin
管
反向
截止电容就是指的其反向势垒电容。在积累空间电荷的势垒区,当PN结外加
电压
变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。势垒电容具有非线性,它与结面积、耗尽层宽度、...
PIN
结是什么结?做什么用?
答:
与普通PN结不同,在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成
PIN
硅片。因基区很薄,
反向
恢复电荷很小,这样做成的二极管叫做PIN结型二极管,快恢复二极管就是这样一种二极管.它的正向压降较低,反向击穿
电压
(耐压值)较高。快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体...
半导体物理与器件笔记(十三)——
PIN
二极管正向导通特性和
反向
阻断...
答:
正向导通时,
PIN
二极管犹如一个精密的调谐器,电流的舞动由本征区的复合率主导。伏安特性复杂,就像一首交响乐,阈值
电压
和微分电阻是其中的旋律关键。正向压降并非单一音符,而是由势垒压降、高阻区压降、重掺杂层压降和接触压降共同奏响的和弦。当高阻区与扩散长度达到和谐的比例,我们可以用近似公式描绘这一...
pin
二极管有几个冶金结面
答:
P型半导体面和N型半导体面分别与引脚相连,其中P型半导体面连接正极,N型半导体面连接负极。在工作时,当正向偏置
电压
作用于
PIN
二极管时,P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子将被注入本征层中,从而形成一个低电阻的通路,电流可以流过PIN二极管。当
反向
偏置电压作用于PIN二极管时,由于本征层的存在,...
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