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MOS管最高耐压是多少
MOS管
封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管
答:
TO-247封装与TO-3P封装都是3引脚输出的,里面的裸芯片(即电路图)是可以完全一样的,所以功能及性能基本一样,
最多是
散热及稳定性稍有影响TO247一般为非绝缘封装,TO-247的管子一般用在大功率的POWER中,用作开关管的话,它的
耐压
和电流会比较大一点是中高压、大电流
MOS管
常用的封装形式,产品具有耐压...
求P沟道耗尽型
mos管
型号
耐压
50V以上,电流20毫安以上
答:
2SJ76,-140V,-500mA 。2SJ77,-160V,-500mA 。2SJ146,-50V,-100mA 。2SJ146,-60V,-200mA 。2SJ167,2SJ168,-60V,-200mA 。2SJ209,-100V,-100mA 。2SJ215,2SJ216,-60V,-35mA 。
【悬赏100】
mos管
选型 P沟道耗尽型
耐压
400V 耐流大于0.2A 开关频率...
答:
400V的方波,那VDS至少要600V以上吧?PMOS的VDS的
耐压
我就见过100V的,你这个估计很难找,要是NMOS倒是有很多。
mos管耐压
与峰峰电压有什么关系
答:
没有关系。
mos管的耐压是
指其源极和漏极之间
最大
可承受的电压,峰峰电压是指交流电信号峰值与峰值之间的电压值,
耐压高
的mos管能承受更高的电压,其耐压和峰峰电压之间没有直接的量化关系。
设计开关电源时,开关管的
耐压
(VDS)如何取值?
答:
Bulk电容电压+N*Vo+Vspike Bulk电容电压
最大
值,在没有PFC线路的情况下,等于1.414*Vin N为变压器的圈比,Vo为输出电压,这一部分为二次侧反射到一次侧的电压 Vspike为变压器的漏感与
MOS管的
Coss产生震荡所引起,这一部分与变压器的绕发有关,不太容易计算。MOS的
耐压
需要大于实际的电压,才不会有...
逆变h桥场
管耐压
要求
答:
你要问的是逆变h桥场
管耐压
要求是什么?逆变h桥场管耐压要求是按VBUS的2-3倍去选取MOS管。三相逆变h桥设计的关键点-电子发烧友网显示:
MOS管的
电压击穿是瞬间的,因此耐压值不能太小,逆变h桥场管耐压要求是按VBUS的2-3倍去选取MOS管,MOS管的电流损坏是热损坏,可以承受瞬间大电流。
各位大侠,求一对功率
mos管
,需要
耐压
在50v以上,Vgs在24v左右。耐流为40...
答:
为什么要Vgs24V,这
管多
的,如FK18SM,要学会变换电路,控制电压可用光耦转换,
IGBT和
MOS管
有何区别?
答:
根据焊机结构来说,
MOS管
在逆变电源里使用数量比较多,单个安数在9-20A,做到较大型号的焊机,400A或者500A的时候使用数量在32-40个,长时间容易出现频率不齐的问题。IGBT一般都是两个模块,只需要根据焊机型号来选择模块安数就可以了。肯定是IGBT的好用。IGBT是普遍用在工业机型上的元器件,
耐压
、...
MOS管
640B 能代替 540N么
答:
从指标上看,540N的电流更
大
一些,但
耐压
更小一点,从感觉上,有替代的可能,不过你需要注意这么几点:1、你的电路中的电流大小
是多少
,如果电流只有1-2A,我感觉还是有可能可以替代的,如果电流比较大,超过3A,基本上没戏。2、耐压方面问题不大。3、发热,640的导通电阻比较大,这意味着同样电流通过...
mos管耐压
高可以代替耐压低
答:
不可以。耐高压的
MOS管
其反应速度比耐低压的MOS管要慢,所以
mos管耐压
高不可以代替耐压低。
MOS是MOSFET
的缩写,即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管,属于绝缘栅型。
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