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mosfet管关断过程的分析 双脉冲
双脉冲
测试详解
答:
通过
双脉冲
测试,我们能够获取如下重要参数:ICRM (最大峰值电流) 和 IRBSOA(最大
关断
电流)主电路杂散电感测量: Us = Ls * dij/dt评估续流二极管风险随着半导体技术的进步,对大功率器件进行高效、安全的测试显得更为重要。ITECH的电容储能式脉冲电流源,通过超级电容的充电和放电,提供精确且可调的电流...
MOS管驱动芯片的工作原理?(以IR2110为例)
答:
并在VW1的钳位下形成+5.1V电压Vc1,当IR2110的脚1(LO)输出为高电平时,下管有(VDD-5.1)V的驱动电压,同时在下
管关断
时下管的栅源之间形成一个-5.1V的偏压;下管开通同时脚1(LO)输出高电平通过Rg2,R2开通
MOSFET
让C3进行充电;当IR2110的脚7(HO)输出为高电平时,由C3放电提供上管开通电流,...
MOSFET
开关管死区最小取值由哪些参数决定?datasheet里的哪些参数决定这...
答:
通常都是经验选取的,开关频率的1/50,保证电压损失不是太多。由datasheet里的时间只能最为参考,延时时间+开关时间。实际上,和主电路寄生参数,器件的性能都有关系,最好能最
双脉冲
先确定好你的最小死区时间,工业界基本上也是这样做的。
功率MOS场效应晶体管的基本特性
答:
MOSFET的
开关速度和Cin充放电有很大关系,使用者无法降低Cin,但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数,加快开关速度,MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而
关断过程
非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最高的。场控器件静态时几乎不需输入电流。但在开关过...
电力场效应
管MOSFET
是什么现象
答:
(1)漏极电压UDS——电力
MOSFET
电压定额(2)漏极直流电流ID和漏极
脉冲
电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额(3)栅源电压UGS—— UGS>20V将导致绝缘层击穿 。(4)极间电容——极间电容CGS、CGD和CDS另一种介绍说明:场效应管(Fjeld Effect Transistor简称FET )是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件,...
GTO、GTR、
MOSFET
、IGBT分别表示什么电力电子元件,试给出各元件的主要...
答:
不存在二次击穿问题 电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和
mosfet的
优点,IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐
脉冲
电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力
MOSFET
,电压,电流容量不及GTO。
如何加快
mosfet的
开关速度
答:
功率
MOSFET的
设计
过程
中采取措施使其中的寄生晶体管尽量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同,但总的原则是使漏极下的横向电阻RB尽量小。因为只有在漏极N区下的横向电阻流过足够电流为这个N区建立正偏的条件时,寄生
的双
极性晶闸管才开始发难。然而在严峻的动态条件下,因dv/dt通过相应电容...
开关电源的驱动电路该怎么选择或设计?
答:
具体来说,IR2110驱动芯片采用了双路驱动输出,其中一路用于控制MOSFET管的导通,另一路用于控制
MOSFET管的关断
。驱动芯片的输入端接受PWM信号,并通过内部电路将信号转换为MOSFET管的驱动信号。此外,该电路还采用了电感器和电容器等元件来滤波,以获得稳定的输出电压。总之,降压式DC-DC开关电源的驱动电路...
大功率igbt模块替换原理
答:
原理:IGBT的等效电路如图1所示。从图1可以看出,如果在IGBT的栅极和发射极之间施加一个驱动正电压,MOSFET将导通,使得PNP晶体管的集电极和基极处于低阻状态,晶体管将导通。如果IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V,则
MOSFET关断
,切断PNP晶体管基极电流的供应,从而晶体
管关断
。因此,IGBT的安全性和可靠性...
MOSFET
开关瞬态电压电流超出安全工作区可以吗?安全工作区包含瞬态吗...
答:
妥妥的炸管。。工作低压电流要比实际耐压电流大三倍。如果是开关高频电源用电压还要根据情况更高
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软关断mosfet驱动
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mos管关断