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mosfet关断条件
请问IGBT管与
MOS管
的驱动触发
条件
有什么不同或相同?
答:
IGBT是达林顿结构,MOS不是。IGBT和MOS都需要一定的门槛电压(VGSth)来触发打开 但是由于IGBT的达林顿结构导致寄生电容偏大,故需要一定的门极驱动能力,MOS相对较小。相对的,IGBT的开关频率普遍较低(30~50K以下)而电流较大(可达1000A)。
MOSFET的
开关频率可达500K,而RMS电流普遍较低(一般不超过100A...
电力
MOSFET
及IGBT均为电压驱动型器件,其驱动电路是否需要提供驱动电流及...
答:
【答案】:电力
MOSFET
及IGBT均为电压驱动型器件,在静态
条件
下栅极输入阻抗很高,因此驱动电路几乎不需要提供驱动电流及驱动功率。但由于电力MOSFET、IGBT存在输入电容Cin,当需要器件开通或
关断
时需要驱动电路对输入电容充电或放电,以建立和消除驱动电压,因此当器件开关和关断瞬间,驱动电路需要提供驱动电流,当...
场效应管中,有些电路栅极处的电容起到什么作用??
答:
ton=td(on)+tr =45ns+75ns=120ns (根据datasheet)Power
MOSFET的关断
过程:当up信号电压下降到0时,栅极输入电容上储存的电荷通过连在MOS上的二极管放电到地,使栅极电压按指数曲线下降,当下降到Ugsp 继续下降,Id才开始减小,这段时间称为关断延时时间td(off)。此后,输入电容继续放电,Ugs继续...
如何提高
MOSFET的关断
速度
答:
可以在栅极加个跟随器来驱动栅极,可以缩短开关时间,在栅极加个电阻或电容到地对场管开关的过程进行放电,以上都是提高开关速度的方法。
SiC
MOSFET
用于电机驱动的优势
答:
从开关特性来看,SiC
MOSFET的关断
损耗显著低于IGBT,没有拖尾电流,开通时的反向恢复电流也更小。这不仅降低了能耗,还允许在高dv/dt
条件
下实现更高效的开关。而且,SiC MOSFET的导通特性使其在轻载时表现出更低的损耗,特别是在CoolSiC™ MOSFET的优化下,无论是大电流还是小电流工况,都能提供...
如何提高
mosfet
频率特性
答:
MOSFET的
开关速度和Cin充放电有很大关系,使用者无法降低Cin,但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数,加快开关速度,MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而
关断
过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最高的。场控器件静态时几乎不需输入电流。但在开关...
请教一个24V的电源,入口端串个P行的
MOSFET
,是做什么用的?
答:
在24V电源输出正常的情况下,P型(沟道)的
MOSFET的
G-S端通过电阻分压获得足够高的启动电压(12V左右),MOSFET完全导通,相当于短路线,对电源的输出没有任何影响;在24V电源输出端意外短路的情况下,P型(沟道)的MOSFET的G-S端电压接近于零,MOSFET处于
关断
状态,相当于开路状态,保护电源前端。
请介绍一下绝缘栅双极型晶体管的特性及其用途?
答:
绝缘栅双极晶体管缩写IGBT IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率
MOSFET的
自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了...
GTO、GTR、
MOSFET
、IGBT分别表示什么电力电子元件,试给出各元件的主要...
答:
电流
关断
增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低。GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开关特性好。GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题。
MOSFET
(电力场效应...
GTO、GTR、
MOSFET
和IGBT四种晶体管有何优点和缺点?
答:
GTO 电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流
关断
增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低
MOSFET
开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题 ...
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