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mosfet关断电压尖峰
电磁炉用IGBT型号的区别是什么?
答:
电磁炉中的IGBT,H20R1202和H20R1203的区别是设计序号不同。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管。型号的前一组数字表示该IGBT的额定工作电流(A),如上述型号20表示额定工作电流为20A;后一组数字的前3位×10表示该IGBT的最大
关断电压
(V),如上述120表示最大关断电压为1200...
电磁炉中IGBT是什么意思?
答:
电磁炉中的IGBT,H20R1202和H20R1203的区别是设计序号不同。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管。型号的前一组数字表示该IGBT的额定工作电流(A),如上述型号20表示额定工作电流为20A;后一组数字的前3位×10表示该IGBT的最大
关断电压
(V),如上述120表示最大关断电压为1200...
如何测试判断场效应管好坏?
答:
其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1到2V时,MOS场效应管既被关断。不同场效应管其
关断电压
略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
vDS多余
电压
产生的电场不是会把电子拉向漏极而形成漏极电流吗,为什么又...
答:
MOSFET
)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的
电压
(或称电场)控制,可以认为...
场效应管的作用是什么?
答:
同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1到2V时,MOS场效应管既被关断。不同场效应管其
关断电压
略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。二、作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,...
场效应管有什么作用
答:
同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1到2V时,MOS场效应管既被关断。不同场效应管其
关断电压
略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。二、作用 ⒈场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,...
场效应管的作用是什么?
答:
同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1到2V时,MOS场效应管既被关断。不同场效应管其
关断电压
略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。二、作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,...
场效应管是个什么东西?原理作用都是什么?
答:
1.场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,属于
电压
控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。2.场效应管工作原理就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道...
MOSFET
与IGBT每部构造的区别?
答:
如果无N+ 缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向
关断电压
只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与
MOSFET 的
转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大...
求高手解释手机锂电池是怎么做到过充保护的求原理
答:
保护IC+Mosfet可以实现的功能如下(四大保护):1.过充保护,当电池芯的
电压
超过设定值时,由保护IC切断
Mosfet管
.等电芯电压回归到允许的电压是,重新恢复Mosfet管的导通.过充检测电压:4.275V+/-0.025V,电芯电压一超过这个值,就触发过充保护过充释放电压:4.175V+/-0.030V,处于过充保护的电芯电压只有降到这个值时...
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