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rbe的计算公式用200还是300
Rbe
中的rb到底取
200还是300
?教材上写
的
200,可是今天做卷子,答案里取的...
答:
三极管发射结电阻
rbe
=rbb`+rb`e=
300
+(1+β)26mV/Ie 其中rbb`对高频管通常取
200
Ω甚至更低,低频管取300Ω,卷子注明rbb`数值就取其数值,没注明可自定,一般误差均小于10%。
晶体管的输入电阻
rbe是200还是300
答:
rbe
=rbb'+26mV(1+β)/Ie。例如一个低频管rbb'大约
200
Ω,当发射极电流Ie=1mA,放大倍数100倍下,rbe为2826Ω
...那个常数有时候
是200
有时候是260 有时候
是300
。
答:
rbe=rbb’+(1+β)(re+re'),这个电阻和工作状态有关,具体的说和滞留工作点有关。一般估算是,
150~350都是合理的
,工程应用时并没有统一的标准。晶体管的输入端加交流信号vi时,在其基极将产生相应的变化电流b,如同在一个电阻上加交流电压而产生交流电流一样。因此晶体管的输入端b、e之间用一...
三极管
rbe
怎么
计算
?
答:
rbe=rbb'+26mV / Ib(mA)=rbb'+β(26mV) / Ic(mA),ri=rbe+β(R7∥R8)。rbb'是基区体电阻,
rbe是算
上rbb'加上发射结电阻折算到基区的电阻的,注意rb'e
和rbe的
不同,三极管放大电路在低频和高频的分析中
使用的
是不同的模型,高频中使用的是混π参数,受控源受vb'e的控制,讲体电阻和...
rbe的计算公式是
什么?
答:
rbe=300+(1+β)26mV/Ieq=300+26mV/Ibq(Ibq、Ieq为基极、发射极的静态电流
)此题的Av=-βRL`/[rbe+(1+β)R6](RL`=R3//RL)公式rbe=rbb'+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻,公式 rbe=rbb'+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β)(R7∥R8)计算...
模拟电路放大
Rbe
问题
答:
这个
200还是300
,指的是rbb,也就是发射结的体电阻。按道理说,这个值在做题目时要题目给出的。如果不给,你可以在题目解答时明确写出来:假设rbb=200欧(一定要写),后面按正常解答,老师要足够专业的话,绝对不会算你错的。
在分压式偏置放大电路中如何
计算
三极管输入电阻
Rbe
?有没有具体
公式
答:
Rbe
=
300
+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位
计算
出来是欧。
工程上用来估算晶体管输入电阻的
公式
:R=
300
+(1+β)26/I 中I
是
什么电...
答:
晶体管输入电阻一般用符号
rbe
表示,其中26是温度的电压当量UT,在室温时UT=26mV,分母电流应该是发射极电流Ie,这个估算
公式
应该写为:rbe=
300
+(1+β)26(mV)/Ie 其中300表示体电阻,单位是Ω.既然300单位是Ω,那么26(mV)/Ie中的Ie单位应当取为mA,使mV与mA的比值也是Ω,便于与300Ω直接相加.
三极管r eb值
答:
严格的
公式
为:
rbe
=rbb'+(1+β)×26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=
300
Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求
计算
...
共射集放大电路的
rbe
怎么求?
答:
rbe
由基区电阻rbb',发射结电阻rb'e',发射区电阻re组成,rbb'一般几十到几百欧姆,可以查手册,re一般几欧姆可以忽略不计.所以rbe=Ube/Ib=(Ubb'+Ub'e')/Ib=rbb'+Ie/Ib*rb'e', 其中rb'e'=UT/Ie.所以 rbe=rbb'+(1+β)UT/IE 常温下UT一般为26mV....
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