22问答网
所有问题
当前搜索:
si是直接带隙还是间接带隙
硅的能带结构
是直接还是间接
答:
硅的能带结构是间接。这里的硅都是间接禁带型的能带结构。简单来说,一般我们希望获得直接带隙半导体。他们的区别在于价带顶和导带底是否拥有相同的波矢k。看导带低和价带顶的动量是不是相同。相同就
是直接带隙
,不同就
是间接带隙
。而这里的硅导带底和价带顶波矢k值不同,所以判断为间接禁带。能带结构...
直接带隙和间接带隙
有什么区别
答:
一般所用的半导体材料有两大类,
直接带隙
材料
和间接带隙
材料,其中直接带隙半导体材料如GaAs(砷化镓)比间接带隙半导体材料如
Si
有高得多的辐射跃迁几率,发光效率也高得多。
如何确定半导体
是直接带隙还是间接带隙
的?
答:
光效率很大的话差不多就是直接带隙,发光效率低的话就是间接带隙
。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本征吸收带和吸收边,变化相对较缓,而间接带隙材料比较陡峭。间接带隙半导体材料(如Si、Ge)导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要...
sic
是直接带隙
半导体吗
答:
间接带隙
直接带隙和间接带隙
的材料有哪些
答:
硅、砷化镓等半导体材料。根据百度百科查询,
间接带隙
半导体是指电子能级与洞能级之间的
能隙是
由外部的应力或磁场等引起的,此时带隙值会受到外界环境的影响,而且会随着外部环境的变化而变,例如:硅、砷化镓等半导体材料。
石墨烯
是直接带隙还是间接带隙
答:
石墨烯
是直接带隙
的半导体,导带和价带在k空间里,相互具有很好的对称性。石墨烯是一种以杂化连接的碳原子,紧密堆积成单层二维蜂窝状晶格结构的新材料。石墨烯具有优异的光学、电学、力学特性,在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景,被认为是一种未来革命性的材料。英国...
硅在常温下的物理属性是什么
答:
常见化合价:4硬度:6.5地壳含量:25.70%弹性模量:190GPa(有些文献中为这个值)密度:2.33g/cm³(18℃)熔点:1687K(1414℃)沸点:3173K(2900℃)摩尔体积:12.06×10⁻⁶m³/mol汽化热:384.22kJ/mol熔化热:50.55kJ/mol蒸气压:4.77Pa(1683K)
间接带隙
:...
什么
是直接带隙和间接带隙
?
答:
直接带隙和间接带隙
是两种不同的半导体材料,它们的区别和特点如下:1. 区别:直接带隙材料:当入射光子能量等于材料能隙时,材料可以吸收并转换为电子-空穴对。因此,直接带隙材料可以产生光电效应,并且可以通过光致发光和光电导性进行测量。间接带隙材料:当入射光子能量等于材料能隙时,材料只能吸收并...
直接带隙和间接带隙
的区别有哪些?
答:
- **
直接带隙
**:由于电子跃迁时波矢不变,直接带隙半导体在发光过程中发光效率较高,因此常用于发光二极管(LED)和激光二极管(LD)。- **
间接带隙
**:由于电子跃迁需要改变波矢,间接带隙半导体在发光过程中发光效率较低,因此不常用于发光器件,但可能更适合于光伏器件等。3. **应用领域**:- ...
直接带隙和间接带隙
半导体,选择哪类半导体更能提高内量子效率呢_百度知 ...
答:
选
直接带隙
半导体。1、直接带隙半导体这种直接跃迁的特性使得直接带隙半导体对于光的吸收和发射具有更高的效率,被视为优良的光电转换材料,能够提高内量子效率。2、在
间接带隙
半导体中,由于电子和空穴之间的能量差异很大,因此容易受到非辐射复合等效应的影响,从而造成电子-空穴对数目的减少,降低了内量子...
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜
GaN是直接带隙还是间接带隙
ge直接带隙还是间接带隙
硅属于什么带隙半导体
Sic是直接带隙还是间接带隙
间接带隙是什么
Sb2S3是直接带隙还是间接带隙
IGZO直接带隙还是间接带隙
硅的能带结构是直接还是间接
判断直接带隙还是间接带隙