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为什么mos管是电压控制
为什么
CMOS门电路的输入端通过电阻接地时,总是相当于低电平
答:
就是把输入端通过电阻接到了地,COMS元件
是电压控制
的,输入电流很小(近乎是0),在电阻上的压差几乎是0(欧姆定律),也就是电阻两端电位相等,地就是0电位,就是低电平。因为CMOS电路输入阻抗很高,输入端通过电阻接地时,所以相当于低电平。CMOS是高阻抗电路,输入端通过电阻接地就是把输入端下拉到...
MOS管
道通
电压
答:
MOS管是电压控制
型,双极型晶体管是电流控制型 从电路上分析,理论上Vgs=R2两端电压降Ur2=6.2*24/16.2=9.18V 这个电压与MOS管导通与否没有关系。
三极管的驱动能力是比
MOS管的
强吗?
为什么
?
答:
三极管和
MOS管
做开关用时可用以下两种方法来区别。1、工作性质:1、"三极管"用电流控制,MOS管属于电压控制。2、成本问题:三极管便宜,MOS管贵。3、功耗问题:三极管损耗大。4、驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。2、场效应管和晶体管的区别 1、场效应
管是电压控制
元件,而晶体管...
为什么mos管
不能
控制
电源正极通断,只能控制电源负极通断?
答:
在图一,是个Nmos,只能S极接地。因为通过Vgs的
电压
来开关
mos
。S极接地则S极的电势是0V。只需
控制
G极,即Vin1来控制这个Nmos。Vin1是高电平,则mos打开,Vin1是低电平,则mos关断。在图二,是个Pmos,Vgs是个负值才能打开mos。现在s极接的是电源,也就是s极的电平是高电平。那么只需G极是0V...
关于三极管的输入阻抗
答:
这个“漏电流”,可以这样理解,三极管的基极和MOS管的栅极同时加上一定的电压时(使他们都导通,根据具体型号的器件,有不同的表现),三极管是一种电流控制电流的器件,导通时基极需要一定的电流(漏电流);而
MOS管是
一种
电压控制
电流的器件,导通时栅极几乎没有电流。根据公式:R=V/I,明显可以得到...
该图片里的
MOS管
电流怎么算啊,另外Vi和Vo的
电压
有没有限制,例如电压范 ...
答:
MOS管是电压控制
元件,其G极是用来开启或关断开关管的,就是你图上的Vi,而你所谓的输出Vo,应当是开、关过程中有没有电流流过去的。关于电压范围,需要看MOS管的型号,查规格书,各种型号都不一样的。又分P管和N管,P管是高电平导通,N管是低电平导通,就看你的Vi是高电平还是低电平,来开、...
mos管
栅极和漏极可以是相同
电压
吗?
答:
如果栅极
电压
与漏极电压相同,则MOS管的通道电流达到最大值,也就是处于饱和状态。但是,如果需要
控制MOS管的
电流大小,通常需要通过改变栅极电压来实现,这就需要栅极电压高于漏极电压,否则无法控制MOS管的导通。因此,在实际应用中,通常会在栅极和漏极之间设置一个合理的电压差来控制MOS管的电流。
mos管
增强型与耗尽型的区别在哪里?
答:
(2)、耗尽型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在,也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0。2、原理不同。最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道。3、控制方法不同。(1)、耗尽型UGS可以用正、零、负
电压控制
导通。(2...
MOS管
如何使用?
答:
MOSFET
开启
电压
5V的话,需要栅极电压高于源级电压5V才能导通,就是说如果源级电压是12V,栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压,超过就击穿了,所以一般是±20V,使用时不能超过。和上一问一样,只有栅极和源极接正向电压才能导通,而且不能超过20V。接...
mos管的
三个极
答:
7、MOS管的源source和漏drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能这样的器件被认为是对称的当MOS电容的栅极Gate相对于衬底。8、G栅极,D漏极s源及。9、
mos管是电压控制
元件,在某些方面使用起来很方便,当然,在...
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