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本征半导体的导电机构
说明PN结形成的原理
答:
P型
半导体
空穴多,容易吸引电子但原子核电荷不够,会形成负电荷。N型半导体电子多,电子容易逃跑且原子核电荷太多,会形成正电荷。P(Positive)型半导体和N(Negative)型半导体构成PN结以后,会扩散出一个内电场,也叫PN结、阻挡层、耗尽层、空间电荷区。电子受到电场力作用会漂移向N级,但N级电子太多,...
可不可以介绍下ITO透明
导电
薄膜的发展历程?
答:
透明
导电
氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)是一种在可见光光谱范围(380nm < λ < 780nm)透过率很高且电阻率较低的薄膜材料.TCO薄膜材料主要有CdO、In2O3、SnO2和ZnO等氧化物及其相应的复合多元化合物
半导体
材料.(1)1907 年Badeker等人第一次通过热蒸发法制备了CdO透明导电薄膜,开始了对透明...
有机光电探测器的研究
机构
有哪些??跪求
答:
光电检测器 使用由
半导体
材料制成的光检测元件的光电导效应。所谓的光电导效应,是由经照射的材料的物理现象
的导电
性的辐射诱导的变化来定义。在军事和国民经济的各个领域光电导探测器具有广泛的用途。在可见光或近红外辐射主要用于测量和检测,工业自动化,光度等;主要用在红外线导弹,红外热成像,红外...
物体的电阻是由它的什么性质决定的?
答:
为什么必须是同一能带的能级呢?其实不是同一能带的能级也是可以的,只不过一般情况下的电场强度不能提供那么大的能量,如果真有这么大的电场把电子“拉”到更高一级的能带,那么这个物体也能
导电
,这就是我们通常所说的击穿了。
导体的
导带是半满带,电子有可以跃迁的能级,而
半导体
和绝缘体的导带是空的...
PN结是什么?
答:
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型
半导体
与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向
导电
性。P是positive的缩写,N是negative的缩写,表明正荷子与负荷子起作用的特点。一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是...
PN结是什么?
答:
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型
半导体
与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向
导电
性。P是positive的缩写,N是negative的缩写,表明正荷子与负荷子起作用的特点。一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是...
PN结是什么
答:
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型
半导体
与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向
导电
性。P是positive的缩写,N是negative的缩写,表明正荷子与负荷子起作用的特点。一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是...
什么是PN节
答:
这就是PN结的单向
导电
性。 PN结加反向电压时 ,空间电荷区变宽 , 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿
机构
有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于6V,有负的温度系数...
二极管中电流是正电荷移动还是自由电子移动?
答:
二极管由P型
半导体
和N型半导体结合构成。P型半导体是在半导体中添加三价元素,因此硅原子外层缺少一个电子形成稳定结构,就形成空穴。N型体是在半导体中添加五价元素,因此硅原子外层多一个电子形成稳定结构。当PN结外加正电压时,外电压与内电场方向相反,是多子(电子)的扩散运动大于少子(正电荷)的...
二极管正反电阻差异如此大,其物理原理是什么
答:
这就是PN结的单向
导电
性。 PN结加反向电压时 ,空间电荷区变宽 , 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿
机构
有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压...
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