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本征载流子浓度与温度的关系
为什么半导体器件的
温度
稳定性差?是多子还是少子是影响温度稳定性的主...
答:
举个例子:在pn结中,p区杂质电离产生空穴,p为多子(p载流子浓度10^18cm^-3);n区杂质电离产生电子,n为多子(10^18cm^-3);常温下
本征载流子浓度
为10^10cm^-3,要控制其浓度值小于10^17cm^-3(假设),保证内电场的存在即pn结的有效性。若要计算
温度
极限,利用费米分布函数,就可得到其...
本征
半导体
温度
升高后两种
载流子浓度
仍然相等。( )
答:
本征
半导体
温度
升高后两种
载流子浓度
仍然相等这句话是正确的。本征半导体(intrinsic semiconductor)是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体,一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。典型的本征半导体有硅(Si)、锗(Ge)及砷化镓(GaAs)等。在绝对零度温度下,半导体的价带(valence band)...
室温下
本征
硅的
载流子浓度
答:
1.5。室温下
本征
硅的
载流子浓度
是1.5。
载流子的
浓度是决定半导体电导率大小的主要因素,在本征半导体中,电子和空穴的浓度是相等的。
电子
和
空穴的杂质半导体
载流子浓度
(n型)
答:
所以掺杂浓度ND低、
温度
高、杂质电离能ΔED低,杂质离化程度就高,也容易达到强电离,通常以I+=nD+/ND=90%作为强电离标准。经常所说的室温下杂质全部电离其实忽略了掺杂浓度的限制。杂质强电离后,如果温度继续升高,本征激发也进一步增强,当ni可以与ND比拟时,
本征载流子浓度
就不能忽略了,这样的温度...
半导体中如果Nd大于Na,那么这个半导体是什么型半导体(室温)
答:
Nd>Na 属于n型半导体...室温下,
本征载流子浓度
ni=c(一个定值)n=Nd-Na+p p=ni^2/n
模电题目
答:
C A (少数载流子浓度由ni^2/N,决定,N是掺杂浓度,也就是多数载流子浓度,ni为
本征载流子浓度
,随
温度
升高而增大)B(其他几种接法,电源噪声都可以通过负载电阻耦合到输出)载流子浓度 #掺杂浓度 #本征载流子浓度 #温度 #电源噪声 #负载电阻 #输出 ...
半导体能隙怎么测量
答:
有多种方法。例如测量本征光吸收限——本征激发的最长波长。又如测量
本征载流子浓度与温度的关系
,在半对数坐标上,该关系是一条直线,由该直线的斜率即可得到禁带宽度。
电工学-电子技术期末复习-总结知识点
答:
空穴对;这时的载流子浓度称
本征浓度
,nipi本征浓度随
温度的
上升而增大,所以
本征载流子浓度
是温度的函数。二极管杂质半导体N型半导体(主要载流子为电子,电子半导体)P型半导体(主要载流子为空穴,空穴半导体)PN结处载流子的运动漂移运动P型半导体N型半导内电场E体--- ...
第一章 能带
和
热平衡
载流子浓度
答:
一定的半导体材料,其
本征载流子浓度
ni随
温度
上升而迅速增加;不同的半导体材料在同一温度下,Eg越大,ni越小。空穴是由于电子缺失产生的带正电荷的“准粒子”。有效杂质浓度是经过补偿之后,半导体中的净杂质浓度。当半导体被掺入杂质时,半导体变成非本征的(extrinsic),而且被引入了杂质能级。杂质原子...
纯净半导体被
本征
激发,导电性改变吗
答:
改变。
本征
半导体是纯净的半导体。激发产生电子空穴对,量很少。纯净半导体被本征激发,导电性改变,故导电性能差,
载流子浓度
受
温度
影响ad,硅材料的温度稳定性比锗好。
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