22问答网
所有问题
当前搜索:
载流子浓度随温度变化
在杂质半导体中,
温度变化
时,
载流子
的数目变化吗?少子与多子变化的数目相...
答:
然而,多子和少子的定义主要局限于耗尽区之外的N区或P区。多子的
浓度
,主要受掺杂浓度影响,受温度的影响相对较小。当温度达到一定程度,电子和空穴浓度开始趋向平衡,这意味着多子和少子的增减变化最终会趋于一致,形成一个动态的平衡点。总的来说,杂质半导体中的
温度变化
是一场微妙的平衡舞,
载流子
的...
杂质半导体中多数
载流子
的
浓度
主要取决于
答:
多子浓度主要由掺杂浓度决定,受
温度
影响较小。对于n型半导体,如果掺杂浓度为ND,则在杂质全电离情况下,其中多数载流子度为。即多数
载流子浓度
基本上决定于掺杂浓度。假若杂质未全电离,则多数载流子浓度决定于杂质的电离程度,随着杂的不断电离,多数载流子浓度也不断增大与温度有指数函数关系。半导体材料中...
掺杂半导体中少数
载流子
的
浓度
与什么有很大关系
答:
温度
。 导体在任何温度下,都将遵从热平衡条件:np=ni2。因此多数载流子与少数载流子是相互制约着的。多数载流子主要来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激发(属于本征载流子)。当通过掺杂、增大多数
载流子浓度
时,则多数载流子与少数载流子相互复合的机会增加,将使得少数载流子浓度减小;当升高温度,少数...
平衡态下影响
载流子浓度
的因素有哪些为什么
答:
1、与
温度
有关,同样材质的半导体,温度越高,热激发越强烈,本征
载流子浓度
越高 2、与禁带宽度有关,同样的温度下,禁带宽度越窄,电子或空穴更容易从价带跃迁到导带,本征载流子深度越高。
为什么
温度变化
时
载流子
数目会变化
答:
温度变化
时候,载流子数目肯定变化。少子与多子变化数目不相同。 因为少子浓度和多子浓度的乘积等于本征
载流子浓度
的平方。二者和不是定值,积是一个定值。在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。制备...
在杂质半导体中,
温度变化
时,
载流子
的数目变化吗?少子与多子变化的数目相...
答:
变。
温度
升高,刚开始由杂质能级电离,多子少子
浓度变化
不同,此时多子来自杂质及本征激发,而少子来自本征激发。温度再升高,致使杂质全部电离后,半导体处于饱和区。温度继续升高,这时
载流子
将由本征激发为主,到一定程度,电子空穴浓度会趋于相等。之后的本征激发变化相同。
分析纯金属和本征半导体
随着温度
的降低,其导电性如何
变化
答:
纯金属的导电性一般是随着温度的降低而增大(因为晶格散射减小,迁移率增大的缘故)。本征半导体随着温度的降低,本征
载流子浓度随着温度
的降低而指数式减小,所以导电性降低。具体情况较复杂,详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。
为什么说半导体
温度变化
时,多子和少子
浓度变化
不一样?
答:
个人猜想,可能有误——就比如N型半导体,多子是自由电子,少子是空穴。自由电子来源有两部分,杂质原子本身多出的一个电子和共价键中被激发出来的电子。而空穴来源只有共价键。因为
载流子浓度
按指数规律增加,少子和多子的数量函数的底数不同,故而
变化
快慢也不同。
半导体
温度
稳定性差的原因,另外是受多子还是少子影响
答:
温度稳定性差的原因:1、少数
载流子浓度
与温度有关。(
随着温度
的升高而变窄)2、禁带宽度与温度有关。(随着温度的升高而呈指数式增加)主要是受多子影响。半导体禁带宽度小,受热后外层成键电子容易跃迁到激发态成为参与导电的载流子,导电性能提高,所以温度稳定性差。所以多子起主要作用。半导体指常温下...
杂质半导体的多数
载流子浓度
由()决定。
答:
1.施主与受主杂质浓度 杂质半导体中的施主杂质可以向半导体晶体中掺入电子,形成多余电子,称为n型半导体。受主杂质可以接受半导体中的电子,形成多余空穴,形成p型半导体。不同杂质浓度掺入后,电子和空穴的浓度也会相应发生
变化
。2.温度 在一定的杂质浓度下,温度对多数
载流子浓度
也产生影响。
随着温度
的...
<涓婁竴椤
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜
载流子浓度计算
载流子浓度是什么
载流子数目和浓度的区别
载流子浓度单位
半导体电子浓度与温度的关系
金属载流子浓度
温度对半导体载流子的影响
载流子浓度计算公式
载流子浓度与反射率