已知室温下，Si的本征载流子浓度ni1.51010cm-3。
由于杂质补偿且杂质全部电离，该掺杂半导体的多子即电子浓度为：n=1.11015cm-311014cm-311015cm-3(1.51010cm-3/11015cm-32.2510cm-3若两块锗样品中的电子浓度分别为2.251010cm-35.01016cm-3，试分别求出其中的空穴的浓度；
已知电子浓度求空穴浓度，根据公式2.25*101.78*10cmcmcm5*108*10cmcmcm型半导体，空穴导电；费米能级在本征费米能级之下，比较靠近价带顶。型半导体，电子导电；费米能级在本征费米能级之上，比较靠近导带底。
总之，凡是EF靠近导带底的半导体必将是电子导电为主的n型半导体，凡是EF靠近价带顶的半导体必将是空穴导电为主的p型半导体。
当然，如果EF处于禁带中央，即两种载流子分别占据导带能级和价带能级的几率相等，则两种载流子的数量也就差不多相等，那么这就必然是本征半导体，这时的Fermi能级特称为本征Fermi能级（用EFi表示，与禁带中央线Ei一致）。
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