半导体非平衡载流子的直接复合受禁带宽度的影响如何？

Question

刘恩科半导体物理书上说禁带宽度越小越容易直接复合（对应低禁带宽度直接复合起主要作用），那么对应少子寿命应该随禁带宽度的变小而降低才是
事实上是禁带宽度ge<si<gaas 少子寿命ge >si >gaas
并且差别还非常大
谁能解释下 不要拿存在间接复合来应付！

Answer 1

这里要区分清楚两个问题：一是能带结构（直接带隙或者间接带隙），二是复合机理（直接复合或者间接复合）。
GaAs是直接带隙半导体，复合机理主要是直接复合，则少数载流子寿命很短。直接复合的几率与禁带宽度有关，则禁带宽度越小的半导体，少数载流子寿命就越短。
Si和Ge是间接带隙半导体，主要是依靠复合中心的间接复合机理，则寿命决定于复合中心的浓度和性质，与禁带宽度基本上无关。一般，间接复合的寿命都较长。所以，Si和Ge的载流子寿命比GaAs的长，虽然GaAs的禁带宽度较大。

详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的“纠正误解[1]——微电子概念”本回答被提问者采纳