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半导体少子寿命测量
少子寿命
答:
少子测试
量程从1μs到6000μs,硅料电阻率下限达0.1Ω.cm(可扩展至0.01Ω.cm)。测试过程全程动态曲线监控,
少子寿命测量
可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况,是原生多晶硅料及
半导体
及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。
为了准确
测量少子寿命
应该满足哪些条件
答:
1.少量深能级杂质能大大降低
少子寿命
。过渡金属杂质往往是深能级杂质,如Fe、Cr、Mo等杂质。2. 电阻率的影响 随着电阻率的增大,少子寿命也不断增大。3. 温度变化强烈影响少子寿命。但是影响规律十分复杂。一般为随温度上升少子寿命先降后升。
高阻片
少子寿命
的
测量
的方法原理
答:
1、处于热平衡状态下的
半导体
,在一定温度下。2、载流子的浓度是一定 的,称为平衡载流子浓度。
大注入条件下测得的
少子寿命
会有何变化
答:
少子寿命测量方法包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面
。最常用的注入方法有光注入和电注入,而检测非平衡载流子的方法有很多,如探测电导率的变化,探测微波反射或透射信号的变化等,注入和检测方法的不同组合就形成了多种少子寿命测试方法,如:直流光电导衰减法;高频光电导衰减法;表面光电压法;微...
少子寿命测试
仪,所测的"少子"在物理学上是什么定义?
答:
少子
,即少数载流子,是
半导体
物理的概念。 它相对于多子而言。半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子。如,在 N型半导体中,空穴是少数载流子,电子是多数载流子;在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。多子和少子的形成:...
晶棒
少子寿命
是什么意思
答:
现代
半导体
器件的制备非常精密,因此需要
测量
晶棒
少子寿命
的精度非常高。目前,常用的测量方法是利用激光器在晶体中形成载流子,然后通过探测器测量载流子的寿命。这种方法被称为“飞秒退火法”,它能够对晶体材料的少子寿命进行非常准确地测量,并且不会损伤晶体材料。这一方法已经被广泛应用于半导体器件制备过程...
载流子的
寿命
答:
非平衡载流子浓度随时间的衰减规律一般服从exp(-t/τ)的关系,常数τ表示非平衡载流子在复合前的平均生存时间,称为非平衡载流子寿命。在
半导体
器件中,由于非平衡少数载流子起主导作用,因此τ常称为非平衡少数载流子寿命,简称
少子寿命
。τ值范围一般是10-1~103μs。复合过程大致可分为两种:电子在导带...
少子寿命
的基本信息
答:
少子寿命
指少子的平均生存时间,寿命标志少子浓度减少到原值的1/e所经历的时间。对太阳能电池来说,少子寿命越短,电池效率越低。少子,即少数载流子,是
半导体
物理的概念。 它相对于多子而言。半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子。...
想知道
少子寿命
的具体含义和计算方法??
答:
简单来说.本征
半导体
有2种掺杂方式.即P型半导体和N型半导体.P型中的少子为电子.电子周围有大量的空穴存在(空穴为多子)物质的热运动很容易使少子被复合.少子的"存活"时间就是单个少子的寿命.由于这种复合是大量少子的行为,必须用统计力学的概念来描述这种"寸活"时间..这就是
少子寿命
的概念.估计它的...
什么是小注入条件?大注入条件下测得的
少子寿命
答:
您要问的是什么是小注入条件?大注入条件下测得的
少子寿命
会有何变化?流子浓度大于过剩载流子浓度是指小注入,随注入水平的增加而增加。小注入条件是指
半导体
中热平衡多数载流子浓度远大于非热平衡状态下过剩载流子浓度。变化是随着注入水平提高,主导复合机制发生改变,且少子寿命并不是一直随注入水平的增加...
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