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本征载流子浓度与温度的关系
本征载流子
的
与温度的关系
答:
本征载流子浓度
ni
与温度
T和禁带宽度Eg
的关系
为(与杂质无关)ni = (NcNv)^(1/2) exp[-Eg/(2kT)]在室温下,Si的ni=1.45×10^10cm-3,GaAs的ni=1.79×10^6cm-3。由于本征载流子浓度ni随着
温度的
升高而指数式增大,故在足够高的温度下,对于掺杂的半导体,在较高温度下,本征载流子浓度也...
本征载流子浓度与
哪些因素有关?
答:
1、与温度有关,同样材质的半导体,温度越高,热激发越强烈,本征载流子浓度越高
2、与禁带宽度有关,同样的温度下,禁带宽度越窄,电子或空穴更容易从价带跃迁到导带,本征载流子深度越高。
当
温度
升高时,
本征
半导体中
载流子的浓度
:A. 自由电子浓度增大,空穴浓度...
答:
载流子的浓度是和Nc、Nv成正比,尤其是指数项exp(-Eg/2kT)所以对于一定的半导体材料,
其本征载流子浓度是随温度的升高而迅速增加
。
分析
本征
半导体电阻率与
载流子浓度
迁移率
和温度有什么关系
答:
决定 电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系
。在低温下:由于 载流子浓度指数式增大(施主或 受主杂质不断电离),而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),所以这时 电阻率随着温度的升高而下降。在 室温下:由于施主或 受主杂质已经完全电离,则 载流子浓度不变,但迁...
本征载流子浓度
随着
温度的
升高而()
答:
本征载流子浓度
随着
温度的
升高而()A.增大 B.减少 C.不变 D.指数增加 正确答案:增大
温度
如何影响杂志半导体的
载流子浓度
答:
温度
升高,
载流子浓度
升高,空穴和电子会变化一样的,这样才能保证高温下半导体仍然是
本征
半导体。
本征
半导体
温度
升高后两种
载流子浓度
是否仍然相等?
答:
两种载流子的乘积与费米能级无关,对于一定的半导体材料,乘积只决定于
温度
T。在一定温度下,对不同的半导体材料,因禁带宽度Eg不同,乘积也将不同。所以,
本征
半导体温度升高后,两种载流子浓度都会发生变化,根据对本证载流子的推导,两种
载流子浓度的
表达式一样,因此会相等。乘积公式不好打,我就省略了...
硅的
本征载流子浓度
答:
1.5×10^16m-3或2.716×10^14/cm^3。硅是一种常用的半导体材料,其本征载流子浓度是指在室温(300K)下,自由电子和自由空穴的平衡浓度。
本征载流子浓度与温度
和禁带宽度有关。在相同温度下,禁带宽度越窄,电子或空穴更容易从价带跃迁到导带,导致本征载流子浓度增加。
掺杂半导体中少数
载流子的浓度与
什么有很大
关系
答:
多数载流子主要来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激发(属于
本征载流子
)。当通过掺杂、增大多数
载流子浓度
时,则多数载流子与少数载流子相互复合的机会增加,将使得少数载流子浓度减小;当升高
温度
,少数载流子浓度将指数式增大,并且它与多数载流子相互复合的机会也增加,仍然维持着热平衡
关系
。在温度不是很高...
掺杂半导体中少数
载流子的浓度与
什么有很大
关系
答:
多数载流子主要来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激发(属于
本征载流子
)。当通过掺杂、增大多数
载流子浓度
时,则多数载流子与少数载流子相互复合的机会增加,将使得少数载流子浓度减小;当升高
温度
,少数载流子浓度将指数式增大,并且它与多数载流子相互复合的机会也增加,仍然维持着热平衡
关系
。在温度不是很高...
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