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mosfet关断过程
功率
MOSFET
怎样
关断
?能否用PWM实现,怎样实现?
答:
功率
mosfet 的
三个端口,G极,D极,S极。G极控制
mosfet的
开通,
关断
,给GS极之间加正向电压(高电平),达到导通电压门槛值之后就能导通。同理,给一个低电压(低电平)mosfet就能关断。既然是高低电平当然能用PWM实现,不过在具体应用中,应考虑PWM输出高低电平电压范围,PWM电压的输出驱动能力等。驱动能力...
mosfet
工作原理
答:
MOSFET
在没有电压的情况下是关闭状态。 当栅极与源极之间的电压小于阈值电压时(也称为门限电压),栅极不能控制沟道中的电子(或空穴)流动。当栅极与源极之间的电压大于阈值电压时,电场会引起氧化层下方的半导体中的电子或空穴流动。 发生这种情况时,沟道中的电子或空穴数目增加,从而形成一个导电通道。
场效应管中,有些电路栅极处的电容起到什么作用
答:
这样Power MOSFET的开通时间 ton=td(on)+tr =45ns+75ns=ns (根据datasheet) Power
MOSFET的关断过程
:当up电压下降到0时,栅极输入电容上储存的电荷通过连在MOS上的二极管放电到地,使栅极电压按指数曲线下降,当下降到Ugsp 继续下降,Id才开始减小,这段时间称为关断延时时间td(off)。此后,...
mosfet的
触发导通电压是多少?关闭电压是多少?
答:
N型MOS一般都是用S对地,G接电压控制,接地时截止,接高于地的电压开始导通,D输出,负载是从正电源到D之间连接,也就是说管子的D到S导通,让负载的负极接到地,
关断
时,负载的地断开;PMOS极性相反,S接正,G仍是控制,但接正时是关断,低于正的电压才是导通,D输出时,负载一端接地,一端接D...
mosfet
作为开关器件时,在通态和截止状态分别所处什么工作区域,为什么_百...
答:
关断
就是处于截至区,此时认为
MOSFET
被阻断,只有很小的漏电流存在,栅极电压小于开启电压,导电沟道被阻断 导通状态处于饱和区或线性电阻区,也就是放大状态或者完全导通状态,此时栅极电压大于开启电压,形成导电沟道,SD就开始导通了
电力场效应管的电力
MOSFET的
基本特性
答:
(3)动态特性开通过程开通延迟时间td(on)上升时间tr开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和
关断过程
关断延迟时间td(off)下降时间tf关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和
MOSFET的
开关速度和Cin充放电有很大关系。可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数,加快开关速度。不存在少子储存效应,关断过程非常...
功率MOS场效应晶体管的基本特性
答:
MOSFET的
开关速度和Cin充放电有很大关系,使用者无法降低Cin,但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数,加快开关速度,MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而
关断过程
非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最高的。场控器件静态时几乎不需输入电流。但在开关过...
干货|
MOSFET
结构及其工作原理详解
答:
MOSFET的
特性包括转移特性(ID与UGS的函数关系)、漏极伏安特性,工作于开关状态时,寄生二极管会对其特性产生影响。动态特性涉及开关时间,如开通延迟时间(与驱动电路内阻Rs有关)、上升时间和稳态电流,以及
关断
延迟时间,这与内部电容Cin的放电
过程
息息相关。2.3 MOSFET的速度与效率 驱动电路中的内阻Rs越...
mosfet
是什么
答:
2. 工作原理 - 在没有电压施加到栅极时,
MOSFET
中的沟道是截至的,不导电。- 当在栅极上施加电压时,形成的电场改变了半导体中的电荷分布,使得在半导体中形成一个导电通道。- 这个通道的导电性质由栅极电压控制,从而调控了电流的流动。3. 类型:- N沟道型(n-channel MOSFET):电荷载流子是电子。-...
继电器做开关和
MOSFET
做开关,两者有什么区别呢?
答:
\x0d\x0a2、
关断
原理不同\x0d\x0a(1)要将
MOSFET
关闭(OFF)时,只要将闸极至源极电压移去,即可将MOSFET达至OFF状态。在移去闸极电压时电晶体会关闭,此时漏极与源极之间会呈现非常高的阻抗,因而除了漏电流(几微安培),可抑制其它的电流产生。\x0d\x0a(2)继电器是通过改变继电器线圈...
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