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本征半导体的能带结构
从PDOS,LDOS能反应出化学键的强弱吗
答:
sp-like band)名反条比较窄能带表明应于条
能带本征
态主要由局域于某格点原轨道组条带电局域性非强效质量相较 3) 体系掺杂非本征半导体注意与
本征半导体能带结构
图进行比般 言能隙处现条新、比较窄能带通所谓杂质态(doping state)或者按照掺杂半导体类型称受主态或者施主态 4) 关于自旋极化能带般画...
半导体
器件有哪些分类?
答:
它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应),使具有放大信号的功能。这薄层
半导体的
两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。根据栅的
结构
,场效应晶体管可以分为三种:①结型场效应管(用PN结构成栅极);②MOS场效应管(用金属-氧化物-半导体构成栅极,见金属-绝缘体-半导体...
价带 导带 禁带 名词解释是什么?
答:
2、价带:价带(valence band)或称价电带,通常是指半导体或绝缘体中,在0K时能被电子占满的最高能带。3、禁带:英文名为Forbidden Band,在
能带结构
中能态密度为零的能量区间。特点 禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。
半导体的
禁带宽度较小,当温度升高时,电子可以被激发...
半导体
什么意思?
答:
半导体是一种电子导电性介于导体(如金属)和绝缘体(如塑料)之间的材料。
半导体的
导电性能力介于导体和绝缘体之间,这是由于它的电子结构和
能带结构
。半导体材料在室温下通常具有较小的电导率,但可以通过掺杂或加热等方法来改变其导电性质。在半导体中,电子的运动受到温度的影响,当温度升高时,电子的激发程度增加,导致电导...
半导体的
带隙与波长的关系是怎样的?
答:
禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于
半导体的能带结构
,即与晶体结构和原子的键合性质等有关。半导体价带中的大量电子都是价键上的电子(称为价电子),不能够导电,即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带(即
本征
激发)而产生出自由电子和自由空穴后,才能够导电。空穴实际上也就是价...
能隙详细资料大全
答:
能带
理论近似属这种单电子近似理论,首先由F.布洛赫和L.-N.布里渊在解决金属的导电性问题时提出。 理论套用 对一个
本征半导体
(intrinsic semiconductor)而言,其导电性与能隙的大小有关,只有获得足够能量的电子才能从价带被激发,跨过能隙并跃迁至导带。利用费米-狄拉克统计(Fermi-Dirac Statistics...
在
本征半导体
中参与导电的载流子有哪些
答:
2、
本征半导体
一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。更通俗地讲,完全纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体或I型半导体。3、主要常见代表有硅、锗这两种元素的单晶体
结构
。复合时产生的能量以电磁辐射(发射光子photon)或晶格热振动(发射声子phonon)的形式释放。4、在一定温度下,...
能带
的形成
答:
固体材料
的能带结构
由多条能带组成,能带分为传导带(简称导带)、价电带(简称价带)和禁带等,导带和价带间的空隙称为能隙。能带结构可以解释固体中导体、
半导体
、绝缘体三大类区别的由来。材料的导电性是由“传导带”中含有的电子数量决定。当电子从“价带”获得能量而跳跃至“传导带”时,电子就可以...
本征半导体
有哪些载流子参与导电呢?
答:
2、
本征半导体
一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。更通俗地讲,完全纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体或I型半导体。3、主要常见代表有硅、锗这两种元素的单晶体
结构
。复合时产生的能量以电磁辐射(发射光子photon)或晶格热振动(发射声子phonon)的形式释放。4、在一定温度下,...
半导体
基本原理
答:
半导体(东北方言):意指半导体收音机,因收音机中的晶体管由半导体材料制成而得名。
本征半导体
不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下,
半导体的
价带是满带(见
能带
理论),受到热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带,价带中缺少一个...
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