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本征半导体的能带结构
半导体的
导电特性有哪些,并简要解释
答:
1.
本征半导体的
原子
结构
半导体锗和硅都是四价元素,其原子结构示意图如图1.1.1所示。它们的最外层都有4个电子,带4个单位负电荷。通常把原子核和内层电子看作一个整体,称为惯性核。惯性核带有4个单位正电荷,最外层有4个价电子带有4个单位负电荷,因此,整个原子为电中性。2.本征激发 在本征...
半导体
有哪些性质
答:
非晶态
半导体的
电子结构 非晶态与晶态半导体具有类似的基本
能带结构
,也有导带、价带和禁带(见固体
的能带
)。材料的基本能带结构主要取决於原子附近的状况,可以用化学键模型作定性的解释。以四面体键的非晶Ge、Si为例,Ge、Si中四个价电子经sp杂化,近邻原子的价电子之间形成共价键,其成键态对应於价带;反键态对应於导带...
请高手详细介绍一下
半导体
缺陷理论,急用!@!
答:
能量比价带低的各
能带
一般都是满带。价带可以是满带也可以是导带;如在金属中是导带,所以金属能导电,在绝缘体和半导体中是满带,所以它们不能导电。但半导体很容易因其中有杂质或受外界影响(如光照、加热等),使价带中的电子数减少,或使空带中出现一些电子而成为导带,因而也能导电。【
本征半导体
】 不含杂质且
结构
...
1对
半导体
材料,若存在禁带中的杂质能级,吸收谱会有什么变化?-|||...
答:
然而,当存在禁带中的杂质能级时,这些杂质能级会与
半导体的能带结构
相互作用。这些杂质能级可以提供额外的能量级别,允许原本禁带中的电子跃迁到杂质能级。因此,存在禁带中的杂质能级将在吸收谱中引入额外的吸收峰或波峰。这些额外的吸收峰通常出现在半导体材料的
本征
吸收能隙之内。且这些吸收峰的位置和强度与...
半导体
物理学(1)
答:
其中 为
本征半导体的
费米能级。一般温度下 不是特别的大,但结合上边式子,我们可以看出,随着温度的升高, 会迅速增大。因此 半导体对温度的敏感性很高。在实际中,半导体会有一个极限工作温度,超过这个温度会使得器件失效。一般杂质浓度高、带隙大的半导体极限温度会高。首先杂质能级与
能带
中的能级...
本征
是什么意思
答:
本征半导体
(intrinsic semiconductor)是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体,一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。典型的本征半导体有硅、锗及砷化镓等。本征半导体是指化学成分纯净的半导体,它在物理
结构
上有多晶体和单晶体两种形态,察配制造半导体器件必须使用单晶体。制造半导体...
半导体
掺杂有什么作用?
答:
纯正的半导体是靠
本征
激发来产生载流子导电的,但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少,而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子。
半导体的
常用掺杂技术主要有两种,即高温(热)扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类:第一类是提供载流子...
在
本征半导体
中掺入微量的( )价元素,形成n型半导体。
答:
和负电荷量(杂质施放的电子和
本征
激发的电子所带)相等,所以N型
半导体
呈现电中性。正离子处在晶体
结构
中不能自由移动,因此不是载流子。在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度越大,而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。
本征半导体的
特性
答:
掺杂性:通过扩散工艺,在
本征半导体
中掺入少量合适的杂质元素即可得到杂质半导体,按掺入的杂质元素不同,可形成n型半导体和p型半导体,控制掺入杂质元素的浓度就可控制杂质
半导体的
导电性能。2.本征半导体:纯净的,具有晶体
结构的
半导体称为本征半导体。将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成单晶体即为本征...
本征半导体的
导电性
答:
本征半导体的
导电性质可以通过掺杂元素的添加来改变,掺杂元素可以将自由电子或空穴注入到半导体中,从而提高半导体的导电性。掺杂是半导体器件制造的重要工艺之一,它使得本征半导体可以被用于制造各种类型的半导体器件,例如n型半导体、p型半导体、PN结、MOS
结构
等。这些器件在各种电子设备中都得到广泛应用,例如...
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