本征半导体的特性

如题所述

1. 本征半导体的导电特性:

温度敏感性:在一定温度下,本征激发所产生的自由电子与空穴对与复合的自由电子与空穴对数目相等,故达到动态平衡。换言之,在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的,并且自由电子与空穴的浓度相等。本征半导体载流子的浓度是环境温度的函数。本征半导体的导电性能很差,且与环境温度密切相关,半导体材料性能,对温度的这种敏感性,既可以用来制作热敏和光敏器件,又是造成半导体器件温度稳定性差的原因。

掺杂性:通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素即可得到杂质半导体,按掺入的杂质元素不同,可形成n型半导体和p型半导体,控制掺入杂质元素的浓度就可控制杂质半导体的导电性能。

2.本征半导体:

纯净的,具有晶体结构的半导体称为本征半导体。将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成单晶体即为本征半导体。本征半导体有两种载流子,即自由电子和空穴均参与导电,这是半导体导电的特殊性质。

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