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本征半导体的载流子为
本徵
半导体
温度升高时它的电阻力会变小是否正确?
答:
正确。本征半导体就是非常纯净的半导体晶体。在常温下它会产生少量的
本征载流子
,这些
载流子是
由本征激发形成的。当温度升高时,本征激发加强,本征载流子浓度增加,从而使导电能力增强,所以电阻会减小。也就是说,随着温度变化,
本征半导体的
电阻会明显改变,这种特性称为它的热敏性。
2022年山东大学“830
半导体
物理”考哪些内容?
答:
7)III-V族化合物半导体的能带结构 8)II-VI族化合物半导体的能带结构 2.半导体中杂质和缺陷能级 1)硅、锗晶体中的杂质能级 2)III-V族化合物中的杂质能级 3)缺陷、位错能级 3.半导体中载流子的统计分布 1)状态密度 2)费米能级和载流子的统计分布 3)
本征半导体的载流子
浓度 4)杂质半导体的...
介绍下
半导体的
掺杂问题?
答:
不
是
所有的掺杂都是有效的,因为硅与磷硼的掺杂会有些失败的部分,磷硼没有缔结成四价键,而是三价,这时候还是不会导电,也不会有pn节。其实半导体掺杂是化学反应,不是简单的混合,这种技术只有欧美有。当晶体管越来越小时,普通掺杂成功率越来越低,学学原子晶体,对
半导体的
认识会有收获。此外,氮...
半导体载流子的
分类
答:
譬如,对于n型
半导体
,其中的电子就是多数
载流子
,而空穴是少数载流子。实际上,这不仅是数量多少的差异,而更重要
的是
它们性质上的不同。例如:①多数载流子主要由掺杂所提供的,则在室温下,其浓度与温度的关系不大(杂质全电离),而少数载流子主要由
本征
激发所产生,则随着温度的升高将指数式增加;②...
本征半导体中
的电子空穴为什么成对产生???
答:
既然是
本征半导体
,那么内部就是
载流子
平衡的。不带有任何正负电。电子和空穴个数是相等的。在实际中,是不存在空穴的,空穴产生的原因是由于该处的电子脱离该位置,相当于该处缺少一个电子,为了便于分析,我们就认为该处是空穴。形象的说 就是一个萝卜一个坑,萝卜是电子,坑就是空穴。所以电子脱离...
硅
中
掺铟和磷形成什么
半导体
答:
N型半导体。在纯硅中掺杂(doping)少许的施子(即五价原子,最外层有5个电子的原子)如磷、砷、锑,施子的一个价电子就会成为自由电子,如此形成N型半导体,自由电子为N型
半导体中
导电的主要
载流子
(多数载流子)。N 型半导体是通过在制造过程中用电子供体元素掺杂
本征半导体
而产生的。术语n 型来自电子...
半导体
掺杂有什么作用?
答:
掺入相应的三价或是五价元素则可以在
本征
激发外产生其他
的载流子
。
半导体的
常用掺杂技术主要有两种,即高温(热)扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类:第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质(如Si中的B、P、As);第二类是产生复合中心的重金属杂质(如Si中的Au)。
P型
半导体的
P
是
什么意思?N型半导体的N是什么意思?
答:
P型
半导体的
“P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个字母。N型半导体的“N”表示负电的意思,取自英文Negative的第一个字母。
半导体中
有两种
载流子
,即价带中的空穴和导带中的电子,以电子导电为主的半导体称之为N型半导体,与之相对的,以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。在N型半导体中,...
电子和空穴的杂质
半导体载流子
浓度(n型)
答:
经常所说的室温下杂质全部电离其实忽略了掺杂浓度的限制。杂质强电离后,如果温度继续升高,本征激发也进一步增强,当ni可以与ND比拟时,
本征载流子
浓度就不能忽略了,这样的温度区间称为过渡区。处在过渡区的
半导体
如果温度再升高,本征激发产生的ni就会远大于杂质电离所提供
的载流子
浓度,此时,n0>>ND,p0...
半导体是
由什么物质构成的?
答:
加热或光照会使半导体发生热激发或光激发,从而产生更多的电子 - 空穴对,这时
载流子
浓度增加,电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下
本征半导体的
电导率较小,载流子浓度对温度变化敏感,所以很难对半导体特性进行控制,因此实际应用不多。杂质半导体(extrinsic ...
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