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本征半导体的载流子为
在杂质
半导体中
,温度变化时,
载流子
的数目变化吗?少子与多子变化的数目相...
答:
温度变化时候,载流子数目肯定变化。少子与多子变化数目不相同。 因为少子浓度和多子浓度的乘积等于
本征载流子
浓度的平方。二者和不是定值,积是一个定值。在
本征半导体中
掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。制备...
半导体的
掺杂浓度和
载流子
浓度有什么关系
答:
在温度不是很高时,增加的
本征载流子
浓度 将远小于掺杂所提供的多数载流子浓度,因 此对于多数载流子而言,可以认为其浓度基 本上就等于掺杂浓度,与温度的关系不大.当然,在温度高到使得本征载流子浓度增大 到等于或大于多数载流子浓度时,就变成以 本征载流子导电为主的半导体了,即为
本征 半导体
,这时掺杂的贡献...
半导体
基本概念
答:
这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为
本征
导电。导带中的电子会落入空穴,电子-空穴对消失,称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射(发光)或晶格的热振动能量(发热)。在一定温度下,电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时
半导体
具有一定
的载流子
密度,从而具有一定的...
什么叫纯净
半导体
。P型半导体和N型半导体?
答:
回答:纯
半导体是
没有任何杂质的半导体,P型半导体和N型半导体是加入了其他一些元素的半导体,P型半导体和N型半导体合在一起会形成PN结,电流只可以从P流到N,不能反相移动,二极管就是根据这个原理制作出来的。
为什么
载流子
浓度是决定
半导体
导电性能的首要因素
答:
(2)光敏特性:有些半导体材料(硫化铜)受到光照时,电阻率明显下降,导电能力变得很强;无光照时,又变得像绝缘体一样不导电,利用这一特性可制成各种光敏器件.(3)掺杂特性:在纯净的半导体中掺入某种合适的微量杂质元素,就能增加
半导体中载流子
的浓度,从而可以增强半导体的导电能力。(4)其他敏感特性:有些...
什么叫
本征
激发?温度越高,本征激发
的载流子
越多,为什么
答:
1、
本征
激发是由于
半导体
材料内部运动,导致有部分电子脱离共价键的束缚,形成了“自由电子”,使半导体材料内
载流子
浓度变化的激发过程。2、本征激发中半导体材料内部运动和温度、光照等外界因素有关,温度(光照等)越高,分子运动越激烈,越有利于电子脱离共价键,因而被激发出来的“自由电子”越多,载流子...
什么
是本征
激发?
答:
1、
本征
激发是由于
半导体
材料内部运动,导致有部分电子脱离共价键的束缚,形成了“自由电子”,使半导体材料内
载流子
浓度变化的激发过程。 2、本征激发中半导体材料内部运动和温度、光照等外界因素有关,温度(光照等)越高,分子运动越激烈,越有利于电子脱离共价键,因而被激发出来的“自由电子”越多,载流子浓度也越高。 3、...
杂质
半导体中
多数
载流子
的浓度主要取决于什么
答:
半导体中
的杂质对电导率的影响非常大,
本征半导体
经过掺杂就形成杂质半导体,一般可分为N型半导体和P型半导体。半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子
载流子
的杂质称为施主(Donor)杂质,相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近...
半导体
工作原理
答:
二,P 型半导体在
本征半导体中
掺入三价原子,即构成 P 型半导体.P 型半导体中每掺杂一个杂质元素的原子,就提供一个空穴,从而大量增加了空穴的浓度一一受主电离多数
载流子
一一空穴少数载流子一一自由电子但半导体仍保持电中性而自由电子的浓度 np 为环境温度也明显影响 np 的取值. 空穴浓度掺杂浓庹4.1.3 漂移电流和...
半导体的
原理是什么
答:
加热或光照会使半导体发生热激发或光激发,从而产生更多的电子 - 空穴对,这时
载流子
浓度增加,电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下
本征半导体的
电导率较小,载流子浓度对温度变化敏感,所以很难对半导体特性进行控制,因此实际应用不多。杂质半导体(extrinsic ...
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