IGBT管的参数

Question

如题所述

Answer 1

20A,600V就是20n的电流600v的电压

N通道IGBT*集电极－发射极击穿电压：600V*集电极电流：45A*集电极脉冲电流:300A*耗散功

极性:NPN

Drain-SourceVoltage漏源电压Vds:600VGate-SourceVoltage栅源电压Vgs:±30V

ContinuousDrainCurrent漏极电流ldTc=25℃:20AContinuousDrainCurrent漏极电流ldTc=100°℃:12.5APowerDissipation功率损耗Pd:74W

StaticDrain-SourceOn-Resistance导通电阻ID=10A,VGS=10V:Typ0.31QMax0.38Q2JunctionandStorageTemperatureRange温度范围:-55~+150°℃

20N60场效应管/TO-220封装尺寸:

Answer 2

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的参数非常重要，它们决定了IGBT在不同应用中的适用性和性能。以下是一些关键参数及其含义：
集电极-发射极电压 (V_CE)：
最大集电极-发射极电压(V_CES)：IGBT能承受的最大电压，不超过这个电压会导致器件的损坏。
栅极-发射极电压 (V_GE)：
最大栅极-发射极电压(V_GES)：栅极和发射极之间允许的最大电压。超过这个值可能会损坏栅极氧化层。
集电极电流 (I_C)：
最大集电极电流(I_CM)：IGBT能够通过的最大电流。在应用中应确保实际工作电流低于此值，以避免过热和损坏。
集电极-发射极饱和压降 (V_CE(sat))：
当IGBT处于导通状态时，集电极和发射极之间的压降。这个值越低，IGBT的导通损耗就越小。
开关时间：
开通时间 (t_on)：IGBT从关断到完全导通所需的时间。
关断时间 (t_off)：IGBT从导通到完全关断所需的时间。这些参数影响IGBT的开关频率和效率。
总功耗 (P_tot)：
IGBT在规定条件下允许的最大功耗。对确保IGBT在应用中的可靠性至关重要。
热阻 (R_th)：
结到环境的热阻 (R_thJA) 或 结到壳的热阻 (R_thJC)：IGBT内部结与外部环境之间的热阻，影响器件的散热性能。
短路耐受时间 (t_SC)：
IGBT能够承受短路电流的时间。这个参数对于保护IGBT免受短路损坏非常重要。
门极电荷 (Q_G)：
开关过程中栅极所需的电荷量，影响驱动电路设计以及开关速度。
二极管参数(如果有内置快恢复二极管)：
反向恢复时间 (t_rr)：二极管从导通到关断所需的时间。
反向恢复电荷 (Q_rr)：二极管反向恢复过程中需要清除的电荷。