首先要说明的是半导体的能带分为三个区域，导带，禁带，价带。导带中的电子和价带中的空穴是能够参与导电的载流子。激发过程就是价带中的电子在接受能量后跃迁过禁带到到达导带的过程，由于电子离开价带留下一个空位，因此激发过程会在价带留下一个空穴。而复合过程正好相反，是导带中的电子回到价带填补原来的空位的过程，该过程释放能量。
N，P型半导体则是半导体掺杂之后在禁带中形成了杂质能级，杂质能级距离价带或者导带小于禁带宽度，因此杂质的激发过程更容易发生，从而使半导体价带中的空穴或导带中的电子变多。掺入能够使导带中电子变多的杂质的半导体为N型半导体，使价带中空穴变多的半导体就是p型半导体。追问
N，P型半导体则是半导体掺杂之后在禁带中形成了杂质能级，杂质能级距离价带或者导带小于禁带宽度，因此杂质的激发过程更容易发生，从而使半导体价带中的空穴或导带中的电子变多。掺入能够使导带中电子变多的杂质的半导体为N型半导体，使价带中空穴变多的半导体就是p型半导体。追问
看不懂，有图吗
追答
这个图从下向上的箭头表示的就是激发过程Ec，Ev分别为导带底和价带顶的能级，Eg表示禁带宽度。
这是两种杂质的电离过程ED表示施主杂质能级，EA表示受主杂质能级，可以看出杂质能级处于禁带中央，且浅能级施主杂质的能级更靠近导带，因此其上的电子更容易被激发而进入导带，浅能级受主杂质的能级更接近价带，因此电子更容易从价带激发上来。掺入浅能级施主杂质的叫n型半导体，掺入浅能级受主杂质的叫p型半导体。
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