当半导体的温度降低(例如室温300oK)或遭到光照等内界因素的影响,某些共价键中的价电子取得了足够的能量,足以摆脱共价键的约束,跃迁到导带,成为自在电子,同时在共价键中留下雷同数量的空穴,如图(
http://www.tftcn.com/a/bandaoti/2010/0918/114.html)所示。空穴是半导体中特有的一种粒子。它带正电,与电子的电荷量雷同。把热激起发生的这种跃迁历程称为本征激起。显然,本征激起所发生的自在电子和空穴数目是雷同的。
因为空穴的存在,邻近共价键中的价电子很轻易跳过来弥补这个空穴,从而使空穴转移到邻近的共价键中去,然后,新的空穴又被其相邻的价电子弥补,这一历程连续上来,就相称于空穴在静止。带负电荷的价电子顺次弥补空穴的静止与带正电荷的粒子作反方向静止的后果雷同,因此咱们把空穴视为带正电荷的粒子。可见,半导体中存在两种载流子,即带电荷+q的空穴和带电荷–q的自在电子。