DFB激光器的生产过程极其精密,展现了半导体技术的复杂性。以下是DFB激光器从材料生长到封装的完整工艺流程:
在结构设计方面,DFB芯片的尺寸非常紧凑。如图所示,一个DFB芯片的大小甚至可以比拟成成年人的大拇指,直观地体现了其小型化特性。
DFB芯片由P极和N极组成,当注入p-n结的电流较低时,仅自发辐射会存在。随着电流的增加,增益也随之提升,当电流达到阈值时,p-n结开始产生激光。激光发射的方向与注入电流的方向密切相关,如图所示,清晰地展示了这一过程。
DFB( Distributed Feedback Laser),即分布式反馈激光器,其不同之处是内置了布拉格光栅(Bragg Grating),属于侧面发射的半导体激光器。目前,DFB激光器主要以半导体材料为介质,包括锑化镓(GaSb)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。DFB激光器最大特点是具有非常好的单色性(即光谱纯度),它的线宽普遍可以做到1MHz以内,以及具有非常高的边摸抑制比(SMSR),目前可高达40-50dB以上。