战后，沃尔特·豪泽·布喇顿回到贝尔实验室，加入了实验室新成立的固态部门，该部门下设一个专门研究半导体的小组，小组由威廉·萧克莱领导。早在1946年，萧克莱就开始探索半导体的潜力，并试图制造出一款实用的固态放大器。
在纯半导体如硅或锗中，室温下传导载子极其稀少，因为电子的能量远高于在晶体中获得的热能，使它们难以进入传导状态。通过加热可以促使电子进入导电状态，然而，更实用的方法是通过掺杂杂质，如在晶体中添加少量元素，这些元素提供的电子比半导体多，使得晶体成为N型半导体，其中的电子自由移动。相反，掺杂少量元素减少电子，形成电子空缺，即电洞，使得P型半导体中带正电的空洞自由移动。
半导体的表面能改变传导带的能量，从而影响其导电性。当金属与N型或P型半导体接触时，接合面的导电性质会呈现不对称性，这使得半导体接合面可以用于调整电流。在整流器中，正向偏压会产生顺向电流，而反向偏压则阻止电流流动，这是整流器的基本原理。
在二战末期，整流器已经是一种常见的设备。萧克莱的目标是开发一款能够改变电阻的新型放大器，他设想通过在半导体薄片上施加电场，仅需少量电场就能显著改变半导体的导电特性。这一想法得到了约翰·巴丁的支持，他关注的重点是电子在半导体表面的能量状态对导电性的影响。
沃尔特·豪泽·布喇顿（Walter Houser Brattain，1902年2月10日－1987年10月13日），美国近代物理学家，生于中国厦门。1956年与威廉·肖克利、约翰·巴丁因晶体管的贡献，获得诺贝尔物理学奖。