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由于硅材料是间接带隙的半导体材料,因此不易放光。
首先这句话对吗?如何全面的理解这句话?直接带隙半导体材料就容易发光?材料本身不发光,做成什么结构和采取什么措施让它发光呢的?
这句话我总觉得是错的 简直是胡言乱语,扰乱视听。 我想听听大家的说法
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推荐答案 2009-11-14
话没错,直接带隙半导体材料就容易发光,间接带隙的半导体材料不容易发光,具体去参考半导体物理.
材料本身是不会发光,这是能量守衡决定的.材料吸收外来的能量源(电能/光能均可),使价带的电子激发到导带上,然后通过辐射跃迁,发出光子.间接带隙的半导体材料在跃迁时会产生声子,严重影响发光.
结构和措施很多,但材料必须是直接带隙半导体材料.
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其他回答
第1个回答 推荐于2017-10-01
简单点说,从能带图谱可以看出,间接带隙半导体中的电子在跃迁时K值会发生变化,这意味着电子跃迁前后在K空间的位置不一样了,这样会极大的几率将能量释放给晶格,转化为声子,变成热能释放掉。
而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化,而无位置变化,于是便有更大的几率将能量以光子的形式释放出来。
想让间接带隙材料发光,可以采用参杂引入客发光体,将能量引入客发光体使其发光(提高发光效率)本回答被提问者采纳
第2个回答 推荐于2017-10-09
简单点说,从能带图谱可以看出,间接带隙半导体中的电子在跃迁时K值会发生变化,这意味着电子跃迁前后在K空间的位置不一样了,这样会极大的几率将能量释放给晶格,转化为声子,变成热能释放掉。
而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化,而无位置变化,于是便有更大的几率将能量以光子的形式释放出来。
想让间接带隙材料发光,可以采用参杂引入客发光体,将能量引入客发光体使其发光(提高发光效率)
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