MDD整流二极管的损耗计算?

如题所述

首先我们来讨论二极管的RC sunbber的计算设计。RC吸收的本质是转移损耗,由于电容两端的电压不能突变,故可以抑制电压尖峰,而电阻纯粹是一个阻尼振荡的作用,业界一直不推荐,大都是采用测试法,因为计算出来的跟实际的还是有差异的。
调试方法如下,先测量振荡波形,读出振荡频率,然后加C,使振荡频率减半,再计算电路的寄生电容、电感,最后根据振荡电路的特征参数来确定串联电阻的大小,或直接接电阻试验,直到振荡基本消失为准。
对于RC是否是纯粹的转移效率,已经经过实验证明,RC参数不合理能降低效率,而合理的RC反而能提升效率。当RC不合理时,很大几率是C或者R的选取出现了问题。C越大,会带来越大的损耗,而且当R阻尼不够时,反而会引起严重震荡。但是C太小,吸收尖峰的能力却不够。所以我们只能采用测量加计算,再调试的办法。是个折中的选择
参考资料:www.szchenda.com
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