当在可控硅的控制极G上施加正向电压（如图5所示）时，由于J3的正向偏置，P2区域的空穴会流入N2区域，而N2区域的电子则会进入P2区域，从而形成导通电流IGT。可控硅内部存在正反馈机制（参见图2），IGT的加入进一步促使可控硅提前进入导通状态，这导致了伏安特性曲线OA段的左移，IGT的增加会加速这个过程。这种特性使得可控硅整流装置能够巧妙地利用可控硅的特性来精细调节电流的强弱，实现精确控制。
可控硅整流装置的工作原理就在于，它能够借助于IGT的控制来调整电流的导通状态，通过伏安特性曲线的移动，灵活地控制电流的强度。这个过程体现了可控硅作为电力电子元件在实际应用中的优势，它能够根据需要进行适时的电流调整，为各种电子设备提供稳定的电流输出。
可控硅整流装置是利用可控硅的特点更好地控制电流的强弱的装置。