继续拉低每GB价格 三星860 EVO 2TB SSD评测

如题所述

  【IT168 评测】前不久我们刚刚为大家带来了860 PRO的评测,还没看过的小伙伴可以看这篇文章《64层3D MLC 三星860 PRO 512GB SSD评测》【点击查看详情
】。
  笔者带大家简单回顾一下,64层3D NAND是这代860 PRO/EVO的显著特点,这也是三星自家V-NAND技术的第四代产品,堆栈层数增多意味着可以在有限的面积内装下更多的die,进一步提升SSD的容量。
  那么除了能够带来更大的容量外,860 EVO还能给我们什么惊喜呢?下面就来看看我们今天要说的主角吧。

  一、外观/内部解析

  860 EVO在包装上依然延续了三星SSD一贯的设计风格,正面以产品为主体,左下角印有860 EVO的产品型号、M.2接口以及V-NAND的字样,右上角标有2TB的容量。
  860 PRO/EVO在包装上的一个显著区别就是型号下的丝带颜色,PRO是红色,EVO是橙色。

  860 EVO和860 PRO一样都是5年质保,在包装背面中间偏右的位置可以找到5年质保的字样。

  860 EVO一共有三种接口,分别是M.2、mSATA和SATA 3.0接口,我们拿到的这块860 EVO是M.2接口,2280规格。

  860 EVO虽说是M.2接口,但别忘了M.2接口有Socket 2和Socket 3两种类型,Socket 2支持SATA和PCI-E 3.0×2通道,Socket 3支持PCI-E 3.0×4通道,换句话说,Socket 3要比Socket 2更快,当然两者对比的只是理论带宽。
  860 EVO的接口是Socket 2类型,走的是SATA通道,所以你就不会吃惊它的550MB/s、520MB/s的顺序读写速度和97000IOPS、88000IOPS的4K随机读写速度基本和SATA 3.0接口的SSD是一个水平了。

  再教大家如何一眼就能分辨Socket 2和Socket 3接口吧,像860 EVO这样金手指有两个缺口的就是Socket 2,像上面那个金手指有一个缺口的就是Socket 3。

  主控颗粒方面860 EVO和860 PRO一样都是三星全新的MJX主控,新主控除了增加了对LPDDR4缓存的支持外,其他信息目前还不清楚。

  缓存颗粒为2GB的LPDDR4。

  闪存颗粒是三星自家的第四代V-NAND,堆栈层数从第三代的48层提升到64层,单颗容量可以做到1TB,两颗组成2TB。2TB也是目前M.2接口SSD所能达到的最大容量。
  860 EVO 2TB的写入寿命为1200TBW,也就是600次全盘写入,相比同容量的860 PRO寿命减半。
  二、基准性能测试

  测试平台如下表:

  测试环境、软件如下表:

  测试平台是英特尔的第八代酷睿i7-8700K,搭配微星的Z370主板,两条金士顿骇客神条内存,主硬盘是英睿达的MX300 750GB,其余配置请看上表。
  测试软件是大家非常熟悉的AS SSD、ATTO、CDI、CDM、TxBENCH、PCMark 8以及三星自家的魔术师软件。

  按照惯例先用CrystalDiskInfo看一下硬盘信息,可以看到传输模式一栏为SATA/600,也就是说860 EVO是运行在SATA通道上的,理论带宽6Gb/s。

▲单位:MB/s

▲单位:IOPS
  测试环节我们先来看看AS SSD的成绩,524MB/s、492MB/s的顺序读写速度基本都和官方的标称值相差30MB/s左右。切换到IOPS之后,97550IOPS和88147IOPS 的4K-64Thrd的读写速度都在标称值之上。

  在ATTO的测试中,860 EVO的最大顺序读写速度分别是557MB/s和520MB/s,也都在官方标称值之上。

  再来看CDM的测试,Q32T1下的顺序读写速度分别是558MB/s和520MB/s,这和ATTO的成绩完全一致。Q1T1下的随机读写速度分别是46MB/s和143MB/s,这个成绩和我们之前测过的SATA 3.0接口的860 PRO也是一致的。

  TxBENCH的测试中,555MB/s、512MB/s的顺序读写速度稍低于ATTO和CDM的成绩,38MB/s、122MB/s的4K随机读写速度同样比前两款软件的成绩低一些。

  再来看PCMark 8的存储测试,总分4972、带宽278.28MB/s和我们之前测过的860 PRO的成绩基本是同一水平,当然这和两者走的都是6Gb/s的SATA通道有很大关系。

  最后再来看看三星自家的魔术师软件的测试结果,顺序读写553MB/s、512MB/s,随机读写97174IOPS、86442IOPS也基本都和标称值吻合。
  评测总结:

  860 EVO在闪存颗粒上用的是V-NAND的第四代3D TLC NAND,堆栈层数来到64层,写入寿命可以达到1200TBW,也就是600次全盘写入,不过相比同容量的860 PRO来说还是弱了一些。
  性能方面,550MB/s、510MB/s左右的顺序读写,40MB/s、130 MB/s左右的4K随机读写速度和860 PRO差距不大,毕竟两者走的都是6Gb/s的SATA通道。
  得益于第四代V-NAND技术以及TLC闪存颗粒的使用,860 EVO在每GB价格上得以进一步降低,换句话说就是可以用更少的钱买到容量更大的SSD了,即使放在整个SSD市场中比较,4799元的860 EVO也算得上是最便宜的2TB SSD了。
温馨提示:答案为网友推荐,仅供参考