在MOSFET的高端驱动器设计中，直接驱动器是最基础的实现方式。这种驱动器直接由PWM控制器或地基准驱动，但需确保以下条件：电源电压VCC必须小于最大栅极电压Vgs,max，且直流偏置Vdc应小于VCC与Miller电压降的差值。
然而，浮动电源栅极驱动器由于引入了独立电源，成本增加明显。光耦合器价格不菲，且带宽有限，对噪声敏感，这在成本效益上成为一个挑战。
变压器耦合驱动器虽能有效控制栅极，但其性能受限于不确定的周期，一定程度上影响了开关性能。尽管如此，通过复杂电路可以改善，但增加了设计复杂度。
电荷泵驱动器对于开关应用，特别适合长导通时间的情况。但效率较低的电压倍增电路可能导致需要更多的低电压级泵，对电路设计提出了额外要求。
自举驱动器以其简单和成本效益著称，但其性能也存在局限性。例如，驱动信号的占空比和导通时间受限于刷新自举电容，同时电平转换的引入会带来额外的挑战和问题。
自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。