三星电子引领行业潮流，推出业内最快的UFS 3.1手机闪存
三星电子近日宣布，已经开始大规模生产512GB封装的eUFS 3.1闪存，这款产品专为手机和平板电脑等移动设备设计。相比于上一代eUFS 3.0的512GB闪存，其写入速度提升显著，达到了惊人的1.2GB/s，相较于传统PC的SATA3 SSD（540MB/s）和UHS-I microSD卡（90MB/s）的读写速度，无疑是一次飞跃，足以应对8K视频和5G时代的高容量存储需求。
这款新型闪存的性能参数出色，连续读取速度高达2100MB/s，随机读取速度为100K IOPS，而随机写入速度也有70K IOPS。此外，三星还提供128GB和256GB的容量选择，以满足不同用户的需求。
在产能布局上，三星位于中国西安的X2生产线已经开始生产第五代V-NAND（9x层）芯片，而韩国平泽市的P1生产线则计划转向第六代V-NAND闪存（1xx层）的生产，以应对市场需求的不断增长。相比之下，西部数据和铠侠虽然也展示了UFS 3.1闪存，但目前尚处于样品阶段，尚未实现大规模量产。
三星的这些举措无疑巩固了其在闪存市场的领先地位，为移动设备用户提供更快、更高效的存储解决方案。