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室温下硅的本征载流子密度
硅
管比锗管的开启电压大的原因
答:
锗材料由于原子半径大,束缚外围电子能力差,因而
本征载流子
浓度大于
硅
材料,导致内建电场强度小于硅。若想要PN结导通,外施正向电压形成的场强大小必须首先要能够克服该内建电场,对于硅材料,克服该电场需要0.6-0.8伏,对于锗材料克服该电场需要0.1-0.3伏。这就是硅管开启电压大的原因了。
本征载流子
浓度ni是多少
答:
本征载流子
浓度ni=1.5*10*10cm-3 没有添加任何杂质到半导体材料里面的半导体就称为本征半导体。温度高于绝对零度后,本征半导体的导带和价带中就有部分电子或空穴。n:代表导电带中电子的浓度; P:代表价电带中空穴的浓度。定义:ni为本征载子浓度对于本征半导体而言,n=p=ni 对给定的某一个半导体,...
载流子
是什么
答:
2、在此基础上,着重对阈值附近半导体激光器的
载流子密度
、输出功率以及阈值电流等重要特性进行了研究。3、对于较高温度下制备的TCO薄膜,对载流子迁移率起主要作用的散射机制是带电离子散射和电中性复合粒子散射。4、与
常温
情况相比,低温
下本征载流子
浓度将随杂质浓度的上升更为剧烈地上升。5、小阱宽的...
试从图4-14(a)计算:①
本征硅的
电阻率。②非补偿的n型硅杂质浓度为1017cm...
答:
查表可得本征时空穴迁移率μp=500,电子迁移率μn=1500,查得
本征载流子
浓度ni=1.0×10的十次方,代入电阻率公式可以得到ρ=1/niq(μn+μp)=3.12×10的五次方Ω·cm 查表可得该掺杂条件下电子迁移率μn=1400,多数载流子浓度n=1.0×10的十七次方,代入电阻率公式可以得到ρ=1/nqμn=0....
半导体物理学(1)
答:
注意,严格来说,
室温下
,杂质浓度比
本征载流子
浓度大一个数量级以上才能认为保持以杂质电离为主的情况。(3)过渡区 (4)高温本征激发区:此时本征激发的载流子数远多于杂质电离产生的载流子数。杂质浓度越高这个温度也越高。(1)低温弱电离区:(2)强电离区(饱和区)(3)过渡区 随着温度升高,n...
掺杂、改变温度、光照激发均能改变半导体材料的电导率,它们之间有何区...
答:
相同点:能改变半导体材料的电导率 不同点:改变方法与效果不同 掺杂在一般能浓度下对
载流子
的迁移率影响不大,主要是通过增加杂质载流子浓度改变电导率。只有在重掺杂时才会是迁移率下降,不过载流子浓度增加的更多一些,总体使电导率升高。温度的影响对于
本征
半导体主要是是迁移率下降,影响电导率。(但是...
为什么 半导体中的少数载流子的浓度比
本征载流子
浓度要小
答:
本征载流子
浓度通常有10的10次方每平方厘米.少数载流子和多数载流子的乘积要是10的20次方没平方厘米.多数载流子通常有10的15次方以上 少数载流子通常为10的5次方以下
载流子
浓度最高的固体材料
答:
载流子浓度最高的固体材料是锗。锗
的本征载流子
浓度最大,其次是
硅
,砷化镓最小,但硅锗具有决定性的优势,电荷载流子浓度更高,尤其是正电荷载流子。
半导体的平均电离能和禁带宽度的区别
答:
能带这一名词出自讨论金属化学键的能带理论中,即它是以分子轨道理论为基础将一系列能量简并的原子轨道重新组合成另一组能量参差的新轨道即能带。也就是每一种原子轨道都可以形成一个能带(例如1S能带,2S能带等)。就
硅
而言它的能带宽度的测定不是从满带跃迁到导带,其中存在两中情况,一种是从导带...
半导体纯水为什么对
硅
含量有要求
答:
1)本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。绝对零度时价带被价电子填满,导带是空的。2)随着温度的升高,
本征载流子
浓度迅速地增加,在本征时器件不能稳定工作。而对于掺杂半导体,
室温
附近载流子主要来源于杂质电离,在杂质全部电离的情况下,载流子浓度一定,器件就能稳定工作。所以,制造半导体...
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