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室温下硅的本征载流子密度
求施主浓度和电子迁移率。
答:
解:将室温下Si的本征载流子密度
1.51010/cm3
及题设电子和空穴的迁移率代入电导率公式
硅的本征载流子
浓度
答:
室温下,
硅的本征载流子浓度为i=1.5×1016m-3
。本征载流子浓度(Intrinsic carrier concentration)为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度,常用值为300K时的浓度值。本征载流子浓度与温度有关,同样材质的半导体,温度越高,热激发越强烈,本征载流子浓度越高;与禁带宽度有关,同样的温度下,禁带...
为什么金属的导电性比半导体好
答:
在单位体积内,金属中自由电子的数目大于半导体中电子和空穴的数目。
硅的本征载流子
浓度
答:
1.5×10^16m-3或2.716×10^14/cm^3
。硅是一种常用的半导体材料,其本征载流子浓度是指在室温(300K)下,自由电子和自由空穴的平衡浓度。本征载流子浓度与温度和禁带宽度有关。在相同温度下,禁带宽度越窄,电子或空穴更容易从价带跃迁到导带,导致本征载流子浓度增加。
计算:已知Si中
本征载流子
ni = 1.5 x 1010 /cm3;Si原子
密度
为5 x 10...
答:
Si原子密度为5 x 1022/cm3
,每百万个Si原子掺入1个磷原子,则掺杂浓度为5 x 1016/cm3,则多数载流子与掺杂磷原子数相当,所以多数载流子为5 x 1016/cm3。少数载流子浓度为4.5x103 /cm3。
500k温度下,
硅的本征载流子
浓度是多少
答:
500k温度下,
硅的本征载流子
浓度是2.716*10^14/cm^3。本征载流子浓度与温度有关,同样材质的半导体,温度越高,热激发越强烈,本征载流子浓度越高;与禁带宽度有关,同样的温度下,禁带宽度越窄,电子或空穴更容易从价带跃迁到导带,本征载流子浓度越高。
0k时候
硅的本征载流子
浓度
答:
1.5。室温下,0k时候硅的本征载流子浓度为i=
1.5×1016m-3
,因此硅的本征载流子浓度是1.5。本征载流子浓度为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度,温度越高,热激发越强烈,本征载流子浓度越高。
si
的本征载流子
浓度是多少
答:
1乘以1010厘米负3。在
室温下
,Si
的本征载流子
浓度等于1乘以1010厘米负3,由于本征载流子浓度ni随着温度的升高而指数式增大,故在足够高的温度下,对于掺杂的半导体,在较高温度下,本征载流子浓度也都将大于杂质所提供的载流子浓度。
半导体物理学第四章答案
答:
V.S),Ge的单晶
密度
为5.32g/cm3,Sb原子量为 解:该Ge单晶的体积为:;Sb掺杂的浓度为:查图3-7可知,
室温下
Ge
的本征载流子
浓度,属于过渡区 5.500g的Si单晶,掺有4.510-5g的B,设杂质全部电离,试求该材 料的电阻率p=500cm2/(V.S),硅单晶密度为2.33g/cm3,B原子量为10.8。解:该Si ...
为什么
硅
半导体器件比锗半导体的器件工作温度高
答:
因为
硅的
禁带宽度比锗的大,且在相同温度下,锗的本征激发强于硅,很容易就达到较高
的本征载流子
浓度,使器件失去性能。在通常情况下,要使硅激发的本征载流子浓度接近掺杂电离的载流子浓度,所需的温度就要高于同样情况
下
的锗。所以,硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高。
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