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载流子浓度随温度变化
本征
载流子浓度随着温度
的升高而()
答:
正确答案:
增大
当
温度
升高时,本征半导体中
载流子
的
浓度
:A. 自由电子浓度
增大
,空穴浓度...
答:
载流子的浓度是和Nc、Nv成正比,尤其是指数项exp(-Eg/2kT)所以对于一定的半导体材料,
其本征载流子浓度是随温度的升高而迅速增加
。
本征
载流子
的与
温度
的关系
答:
本征载流子浓度ni与温度T和禁带宽度Eg的关系为(与杂质无关)ni = (NcNv)^(1/2) exp[-Eg/(2kT)]在室温下,Si的ni=1.45×10^10cm-3,GaAs的ni=1.79×10^6cm-3。由于本征载流子浓度ni随着温度的升高而指数式
增大
,故在足够高的温度下,对于掺杂的半导体,在较高温度下,本征载流子浓度也...
半导体的少数
载流子浓度
有什么决定
答:
主要由
温度
决定,温度越高,越多
温度变化
时会引起BJT的哪些参数变化?如何变化
答:
温度变化时会引起BJT的禁带宽度和少数载流子浓度这两个参数变化。正向压降随着温度升高而降低,反向电流随着温度升高而很快
增大
,势垒电容随着温度升高而增大等。因为BJT是半导体制造的,而半导体在此有两个参数是与温度有关的:一个是禁带宽度(一般随着温度的升高而减小);二是少数载流子浓度(随着温度的升高...
...在室温附近,
温度
升高,杂质半导体中少数
载流子浓度
升高。求高手。谢谢...
答:
从0T开始,
随着温度
升高,所掺杂质的电离逐渐增强,
载流子浓度
增加。但当温度足够高,杂质几乎全部电离之后,起主要作用的就不再是这个,而是本征激发。
分析本征半导体电阻率与
载流子浓度
迁移率和
温度
有什么关系
答:
决定 电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。在低温下:由于 载流子浓度指数式
增大
(施主或 受主杂质不断电离),而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),所以这时 电阻率随着温度的升高而下降。在 室温下:由于施主或 受主杂质已经完全电离,则 载流子浓度不变,但...
温度
如何影响杂志半导体的
载流子浓度
答:
温度
升高,
载流子浓度
升高,空穴和电子会
变化
一样的,这样才能保证高温下半导体仍然是本征半导体。
温度变化
时会引起BJT的哪些参数变化?如何变化
答:
BJT是半导体制造的,而半导体在此有两个参数是与温度有关的:一个是禁带宽度(一般随着温度的升高而减小);二是少数载流子浓度(随着温度的升高而指数式
增大
)。因此,BJT凡是与这两个参数有关的性能都将发生变化。例如:正向压降随着温度升高而降低,反向电流随着温度升高而很快增大,势垒电容随着温度升高...
掺杂半导体中少数
载流子
的
浓度
与什么有很大关系
答:
在温度不是很高时,增加的本征载流子浓度将远小于掺杂所提供的多数载流子浓度,因此对于多数载流子而言,可以认为其浓度基本上就等于掺杂浓度,与温度的关系不大。当然,在温度高到使得本征载流子浓度
增大
到等于或大于多数载流子浓度时,就变成以本征载流子导电为主的半导体了,即为本征半导体,这时掺杂的贡献即可...
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