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室温下硅的本征载流子密度
:n型
硅
掺砷后,其费米能级怎样移动?
答:
已知
室温下
,Si
的本征载流子
浓度ni1.51010cm-3。由于杂质补偿且杂质全部电离,该掺杂半导体的多子即电子浓度为:n=1.11015cm-311014cm-311015cm-3(1.51010cm-3/11015cm-32.2510cm-3若两块锗样品中的电子浓度分别为2.251010cm-35.01016cm-3,试分别求出其中的空穴的浓度;已知电子浓度求空穴...
PNP型三极管的放大电路,他是一个正极两个负极怎么放大,谁能给我解释...
答:
这样的讲解方法主要是在不违反物理原则的前提下,试图把问题尽量地简化,尽量做到浅显易懂,以便于理解与接受。这才是这种讲解方法的主要意义所在。注1:见《电子技术基础》第33至35面,华中工学院出版,康华光主编,第三版,模拟部分。注2:光照增加的是
本征载流子
,而后面讲的电注入增加的是掺杂载流子,本征载流子是成对...
电子和空穴的杂质半导体
载流子
浓度(n型)
答:
实验表明,当满足Si中掺杂浓度不太高并且所处的温度高于100K左右的条件时,那么杂质一般是全部离化的,这样电中性条件可以写成一般Si平面三极管中掺杂浓度不低于5×1014cm-3,而
室温下
Si
的本征载流子
浓度ni为1.5×1010cm-3,也就是说在一个相当宽的温度范围内,本征激发产生的ni与全部电离的施主浓度ND...
下列半导体材料热敏特性突出的是 A、
本征
半导体 B、P型半导体 C、N型...
答:
因为本征半导体中的载流子——
本征载流子
的浓度随着温度的升高而指数式上升,所以热敏特性突出。P型和N型半导体中的载流子——多数载流子,其浓度与温度的关系在
室温下
变化不大,所以热敏特性较小。
工作原理可以讲细点吗不是很懂?
答:
这主要是因为P区除了因“掺杂”而产生的多数载流子“空穴”之外,还总是会有极少数
的本征载流子
“电子”出现。N区也是一样,除了多数载流子电子之外,也会有极少数的载流子空穴存在。PN结反偏时,能够正向导电的多数载流子被拉向电源,使PN结变厚,多数载流子不能再通过PN结承担起载流导电的功能。所以,此时漏电流的形成...
什么是二极管的反向恢复电流?
答:
其中:τSC为空间电荷产生寿命ni为
本征载流子
浓度Τn0、τp0为少数载流子寿命Er为复合中心的能级位置E,为本征能级位置从式2可以看出,空间电荷区产生电流IG随着本征载流子浓度的增加而增加(即随着温度上升漏电流会上升很快),因此一般高温下漏电要远大于
常温下的
漏电。在高温条件下,漏电流近似为空间电荷区...
杂质半导体的电阻率为什么随着温度升高而增大
答:
杂质半导体的电阻率随温度升高而增大的原因是多方面的,具体如下:半导体中的杂质和缺陷对载流子的运动有散射作用,随着温度的升高,载流子运动加剧,散射作用增强,电阻率增大。当温度升高时,本征激发显著加强,
本征载流子
浓度增加,它们在外电场作用下参与导电,导致电阻率增大。在温度较高时,杂质全部电离,...
什么晶体管发射区的重掺杂效应?
答:
(2)带隙变窄效应的影响: 这种由于重掺杂所引起的带隙变窄量ΔEg与发射区掺杂浓度Ne的关系为(
室温下
)ΔEg = 22.5 (Ne/1018 )1/2 [meV] . 当重掺杂导致带隙变窄时,将相应地使得发射区中
的本征载流子
浓度由ni变成为nie = ni2 exp[ΔEg / kT] ;发射区中本征载流子浓度的增大,就将...
化学:晶体
硅
制光电池的原理是什么?
答:
但能引起光伏效应的只能是
本征
吸收所激发的少数
载流子
。因P区产生的光生空穴,N区产生的光生电子属多子,都被势垒阻挡而不能过结。只有P区的光生电子和N区的光生空穴和结区的电子空穴对(少子)扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。光生电子被拉 工作原理 向N区,光生空穴被拉向P区...
热电材料的两种应用方式?
答:
电流越大越好,佩尔捷系数(或泽贝克系数)越大越好.不幸的是,实际非本征半导体的性质决定了二者不可兼得:电流大要求电导率σ高,而σ和α都是载流子浓度的函数.随着载流子浓度的增加,σ呈上升趋势,而α则下跌,结果ασ只可能在一个特定的载流子浓度下达到最大(注:由热激活产生的电子-空穴对
本征载流子
,对提高热电效益...
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