二极管和一般开关的不同在于“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降UF,“关”态有微小的电流i0。当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(- i0) , 而是在一段时间td反向电流始终很大，二极管并不关断。
经过td后反向电流才逐渐变小再经过tf 时间二极管的电流才成为 (- i0) , td 称为储存时间, tf 称为下降时间。trr= td+ tf 称为反向恢复时间。
正向PN结的电荷存储效应给电力二极管带来的主要优缺点： 优点：电导调制效应使通态压降较低，在正向电流增大时通态压降增加很少。 缺点：反向关断过程中会引起反向恢复电流和反向恢复时间，使开关频率降低。
肖特基二极管
以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode--SBD），简称为肖特基二极管。肖特基二极管的优点在于：反向恢复时间很短（10~40ns），正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲；在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管。因此，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高。
二极管和一般开关的不同在于“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降UF,“关”态有微小的电流i0。当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(- i0) , 而是在一段时间td反向电流始终很大，二极管并不关断。
经过td后反向电流才逐渐变小再经过tf 时间二极管的电流才成为 (- i0) , td 称为储存时间, tf 称为下降时间。trr= td+ tf 称为反向恢复时间。
二极管
以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode--SBD），简称为肖特基二极管。
肖特基二极管的优点在于：反向恢复时间很短（10~40ns），正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲；在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管。
因此，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高。
本回答被网友采纳1、正向PN结的电荷存储效应给电力二极管带来的主要优缺点： 优点：电导调制效应使通态压降较低，在正向电流增大时通态压降增加很少。 缺点：反向关断过程中会引起反向恢复电流和反向恢复时间，使开关频率降低。
2、正向通态压降的大致范围0.7-1.2V；
3、主要参数：通态平均电流IF(AV)、反向耐压URRM和反向恢复时间TRR；
普通二极管：反向恢复时间TRR在5uS以上。
快恢复二极管：0.8-1.1V的正向导通压降，反向恢复时间数百纳秒，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。
肖特基二极管：其反向恢复时间极短10-40纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安，而且反向漏电流较大，优点低功耗，大电流，开关频率高，缺点耐压低，一般低于200V。本回答被网友采纳
1、正向PN结的电荷存储效应给电力二极管带来的主要优缺点： 优点：电导调制效应使通态压降较低，在正向电流增大时通态压降增加很少。 缺点：反向关断过程中会引起反向恢复电流和反向恢复时间，使开关频率降低。
2、正向通态压降的大致范围0.7-1.2V；
3、主要参数：通态平均电流IF(AV)、反向耐压URRM和反向恢复时间TRR；
普通二极管：反向恢复时间TRR在5uS以上。
快恢复二极管：0.8-1.1V的正向导通压降，反向恢复时间数百纳秒，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。
肖特基二极管：其反向恢复时间极短10-40纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安，而且反向漏电流较大，优点低功耗，大电流，开关频率高，缺点耐压低，一般低于200V。电力二极管（Power Diode）的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管是一样的，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能；其重要类型有：普通二极管，快恢复二极管，肖特基二极管。 1、正向PN结的电荷存储效应给电力二极管带来的主要优缺点： 优点：电导调制效应使通态压降较低，在正向电流增大时通态压降增加很少。 缺点：反向关断过程中会引起反向恢复电流和反向恢复时间，使开关频率降低。 2、正向通态压降的大致范围0.7-1.2V； 3、主要参数：通态平均电流IF(AV)、反向耐压URRM和反向恢复时间TRR； 普通二极管：反向恢复时间TRR在5uS以上。 快恢复二极管：0.8-1.1V的正向导通压降，反向恢复时间数百纳秒，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。肖特基二极管：其反向恢复时间极短10-40纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安，而且反向漏电流较大，优点低功耗，大电流，开关频率高，缺点耐压低，一般低于200V。电力二极管（Power Diode）的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管是一样的，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能；其重要类型有：普通二极管，快恢复二极管，肖特基二极管。 1、正向PN结的电荷存储效应给电力二极管带来的主要优缺点： 优点：电导调制效应使通态压降较低，在正向电流增大时通态压降增加很少。 缺点：反向关断过程中会引起反向恢复电流和反向恢复时间，使开关频率降低。 2、正向通态压降的大致范围0.7-1.2V； 3、主要参数：通态平均电流IF(AV)、反向耐压URRM和反向恢复时间TRR； 普通二极管：反向恢复时间TRR在5uS以上。 快恢复二极管：0.8-1.1V的正向导通压降，反向恢复时间数百纳秒，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。肖特基二极管：其反向恢复时间极短10-40纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安，而且反向漏电流较大，优点低功耗，大电流，开关频率高，缺点耐压低，一般低于200V。电力二极管（Power Diode）的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管是一样的，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能；其重要类型有：普通二极管，快恢复二极管，肖特基二极管。 1、正向PN结的电荷存储效应给电力二极管带来的主要优缺点： 优点：电导调制效应使通态压降较低，在正向电流增大时通态压降增加很少。 缺点：反向关断过程中会引起反向恢复电流和反向恢复时间，使开关频率降低。 2、正向通态压降的大致范围0.7-1.2V； 3、主要参数：通态平均电流IF(AV)、反向耐压URRM和反向恢复时间TRR； 普通二极管：反向恢复时间TRR在5uS以上。 快恢复二极管：0.8-1.1V的正向导通压降，反向恢复时间数百纳秒，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。肖特基二极管：其反向恢复时间极短10-40纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安，而且反向漏电流较大，优点低功耗，大电流，开关频率高，缺点耐压低，一般低于200V。电力二极管（Power Diode）的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管是一样的，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能；其重要类型有：普通二极管，快恢复二极管，肖特基二极管。 1、正向PN结的电荷存储效应给电力二极管带来的主要优缺点： 优点：电导调制效应使通态压降较低，在正向电流增大时通态压降增加很少。 缺点：反向关断过程中会引起反向恢复电流和反向恢复时间，使开关频率降低。 2、正向通态压降的大致范围0.7-1.2V； 3、主要参数：通态平均电流IF(AV)、反向耐压URRM和反向恢复时间TRR； 普通二极管：反向恢复时间TRR在5uS以上。 快恢复二极管：0.8-1.1V的正向导通压降，反向恢复时间数百纳秒，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。肖特基二极管：其反向恢复时间极短10-40纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安，而且反向漏电流较大，优点低功耗，大电流，开关频率高，缺点耐压低，一般低于200V。