首先VOR（反射电压） 和输入整流后的DC最小（Vmin）电压就决定了你的占空比，在恒定功率参数不变的情况下面，电压越高，输入电流会越小，而占空比也会相对变小，当然这个我说过了是在输出负载不变的情况下面
反射电压取多高要看你前面MOS的耐压有多高，假定 你前面的MOS管用的是700V 那么在高压的时候你因该要知道 VOR+Vdcmax +漏感引起的电压尖峰 （假设反射电压130V）那么就有380+130+50=560V 这个时候你的MOS电应力在550V了 应该要考虑其他一些因素，并且需要给MOS留一定的余量，为什么要留一定的余量 在因在264V 满载启动的瞬间是有一个电压尖峰存在，而电压尖峰太高容易将MOS瞬间击穿，导致MOS损坏
我给你一个公式 你看了就应该知道：
首先做一个反击电源我们需要知道一些参数和假设一些参数
例如做一个15W的电源：MOS耐压在650V 频率：（这个要看你是固定频率还是变频）65K D：0.35 输入电压在欧规：180-264 KRP系数决定电源工作在何种模式（0.1-1）输出12V
首先求T=1/F =15.3US 求Ton=（TXD）15.3*0.35=5.35US Vor=100V (自己根据前面MOS管设定)
求平均输入电流：Iave=P/Vin*效率 15/(160*0.84)=0.1116A
求峰值输入电流：Ipk= Iave/(1-0.5*KRP)*D 0.1116/（1-0.5*0.8）0.36 =0.537A
求有效电流我这里就不写了 因为那个根号不好描述
求初级匝数 NP=Vin*Ton/Bmax*AE (这里的B值指的磁饱和 一直在0.1-0.3之间取值)AE代表你的磁芯AE面积 NP=160*5.35/（0.27*31）=102匝 NS= NP*（Vo+Vf）/Vor=13匝
求LP=Vin*Ton/Ipk*Krp 160*5.35/0.537*1=1.594MH
你可以通过测试去验证 Bmax的值 这个值在低压满载最好不要超过0.3 因为会比较容易饱和
如果你还有不懂的可以加百度M我 给我留言 我可以详细给你解释
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