MOS管导通的问题

一个MOS管栅极给15-20V能导通,我用单片机PWM口最多能输出5V的电压,加

这样的MOS管驱动电路能让输出5V的电压升高使得栅极电压达到要求吗?如果把两个MOS管对接起来,对栅极电压的要求会有什么变化呢??如果导通了的话电压会有多少的降低呢??以IRL2703为例的话

MOS的导通电压时20V我看都没有看见过,估计你是吧Gt看错了,是栅极最高承受电压,你肯定是看错了,一般来说都是不超过8V,TTL这些低电压的电平驱动场管子的话的确是要加驱动的,不加驱动很恼火,你可以用IRF540N,导通电压最高时4V最低2.5V,参考值是3.5V,但是您应用的是PWM建议您用驱动芯片,在好几十K的情况下驱动MOS栅极是要消耗能量的,而且随着频率的增高,您要做的推动的功率也会相应增加,驱动显得尤为重要,您这个驱动对频率是有限制的,开关电源的话,建议你还是用驱动芯片做,一般单管驱动你这样做开关是有几百ns的延迟,打开时间和关闭时间是有一定延迟的,虽然加了电容作为补偿,下降沿没有足够的栅极放电通路,频率高的时候就工作的不尽人意,我都是用半桥作为驱动的。。。。。一般外围元件加的非常少,如果要延迟开关时间的话我直接加电阻,在受到推动的管子上栅极和源极之间要加吸收电路,不然栅极容易受到尖峰电压的损坏。。。。我吃过这样的大亏。如果还有啥子问题您就Hi我好了。追问

VB是12V蓄电池正极,几个电阻分压最后输出打开MOS管,电阻应该小不了。您看这个驱动频率受限大概能到什么作用呢?按你说的,PWM最大输入5V,可能还没有,这样一来能打开MOS吗

追答

打开MOS可以,你这个速度如何您需要参照您的场效应管的栅极电容充电的那个图腾柱图来进行判断,有些时候推动功率可以上1W呢。。。。您这个电路结构大约在40K到顶的样子,大结电容的那种推不动,电阻应该小才可以,不应该变得很大,很多人都以为说场效应管栅极不消耗能量,实际上不是这一个样子的,栅极是需要电容一样充电的,只不过静态的电流几乎是绝缘的,但是这个重点和放电的时候这一瞬间电流可不小。。。。开关的时候频率也不低,这个电流就完全不可以忽略了。

温馨提示:答案为网友推荐,仅供参考