直接带隙和间接带隙是两种不同的半导体材料，它们的区别和特点如下：
1. 区别：
直接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料可以吸收并转换为电子-空穴对。因此，直接带隙材料可以产生光电效应，并且可以通过光致发光和光电导性进行测量。
间接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料只能吸收并转换为热能。因此，间接带隙材料不能产生光电效应，也无法通过光致发光和光电导性进行测量。
2. 特点：
直接带隙材料：具有较高的光电转换效率，适用于光电探测器、太阳能电池等应用。
间接带隙材料：适用于高温环境和辐射环境下的应用，例如半导体激光器、半导体辐射探测器等。
综上所述，直接带隙材料和间接带隙材料在应用上有明显的区别，选择合适的材料对于应用场景至关重要。